[发明专利]具有外部电浆源的半导体制程设备及其外部电浆源在审
申请号: | 202011514962.0 | 申请日: | 2020-12-21 |
公开(公告)号: | CN113637954A | 公开(公告)日: | 2021-11-12 |
发明(设计)人: | 洪再和 | 申请(专利权)人: | 洪再和 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;C23C16/505 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 张燕华;许志影 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 外部 电浆源 半导体 设备 及其 | ||
1.一种具有外部清洁用电浆源的半导体制程设备,其特征在于,包括:
一设备本体,包含一反应腔室、一第一电极及一第二电极;
一第一射频电源供应器,电性连接至该第一电极;以及
一外部电浆源,包含:
一电浆源产生装置,设置在该设备本体上方,并包含:
一第一外壳,包含有一第一射频电源输入端、一第一交流电源输入端、一进气口及一电浆释放口;其中该电浆释放口与该反应腔室连通;
一电浆室,设置在该第一外壳内,并与该进气口及该电浆释放口连通;以及
一匹配网络,设置在该第一外壳内,与该第一射频电源输入端及该第一交流电源输入端电性连接,并与该电浆室耦接;
一切换器,包含有一第二射频电源输入端、一第一切换端及一第二切换端;其中该第一切换端电性连接至该电浆源产生装置的第一射频电源输入端,该第二切换端电性连接至该设备本体的第二电极;以及
一第二射频电源供应装置,包含有:
一第二外壳,包含有一射频电源输出端,该射频电源输出端电性连接至该切换器的第二射频电源输入端;以及
一射频电源电路,设置于该第二外壳内,并电性连接至该射频电源输出端。
2.如权利要求1所述的具有外部清洁用电浆源的半导体制程设备,其特征在于:
该匹配网络的交流电源输入端连接至一交流电源;以及
该切换器的第二切换端通过一阻抗匹配器电性连接至该设备本体的第一电极。
3.如权利要求1或2所述的具有外部清洁用电浆源的半导体制程设备,其特征在于:
该第二外壳包含有一第二交流电源输入端,以电性连接至该交流电源;以及
该射频电源电路电性连接至该第二交流电源输入端。
4.如权利要求3所述的具有外部清洁用电浆源的半导体制程设备,其特征在于,该射频电源电路产生一高频的变频射频电源。
5.如权利要求4所述的具有外部清洁用电浆源的半导体制程设备,其特征在于,该射频电源的频率为13.56MHz±10%。
6.如权利要求1或2所述的具有外部清洁用电浆源的半导体制程设备,其特征在于,该匹配网络包含:
一电源电路,通过该第一交流电源输入端连接至该交流电源,将该交流电源转换为直流电源;及
一匹配网络单元,连接至该电源电路,取得该直流电源,并包含多个固定阻抗元件。
7.如权利要求6所述的具有外部清洁用电浆源的半导体制程设备,其特征在于:该些固定阻抗元件为电感器及电容器。
8.一种半导体制程设备用的外部电浆源,其特征在于,包括:
一电浆源产生装置,包含:
一第一外壳,包含有一第一射频电源输入端、一交流电源输入端、一进气口及一电浆释放口;
一电浆室,设置在该第一外壳内,并与该进气口及该电浆释放口连通;以及
一匹配网络,设置在该第一外壳内,与该第一射频电源输入端及该交流电源输入端电性连接,并与该电浆室耦接;
一切换器,包含有一第二射频电源输入端、一第一切换端及一第二切换端;其中该第一切换端电性连接至该电浆源产生装置的第一射频电源输入端;以及
一射频电源供应装置,包含有:
一第二外壳,包含有一射频电源输出端,该射频电源输出端电性连接至该切换器的第二射频电源输入端;以及
一射频电源电路,设置于该第二外壳内,并电性连接至该射频电源输出端。
9.如权利要求8所述的外部电浆源,其特征在于,该射频电源电路产生一高频的变频射频电源。
10.如权利要求9所述的外部电浆源,其特征在于,该射频电源的频率为13.56MHz±10%。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的