[发明专利]一种低频连接器接触环组件的生产工艺

权利要求书

1.一种低频连接器接触环组件的生产工艺，其特征在于：包括接触环成型加工、导向柱成型加工、接触环与导向柱的组装；

所述接触环成型加工依次包括以下步骤：

S1.1冲床连续模加工：采用精密冲床将接触环基材冲压包圆成型，所述接触环基材的原材料为铍青铜；

S1.2表面清洗：采用超声波清洗，去除接触环表面的油污；

S1.3热处理：经热处理后接触环硬度控制在HV400-450；

S1.4电镀：接触环表面镀金；

S1.5全检：通过CCD检查设备对接触环进行检查，包括检测电镀后接触环表面色差，产品尺寸及外观是否变形损伤；

所述导向柱成型加工依次包括以下步骤：

S2.1 CNC加工：采用精密数控车床将导向柱基材加工成型，所述导向柱基材的原材料为T2纯铜；

S2.2表面清洗：采用超声波清洗，去除导向柱表面的油污；

S2.3电镀：采用二次电镀，先在导向柱表面电镀铜底，再电镀银；

S2.4全检：通过CCD检查设备对导向柱进行检查，包括检测电镀后导向柱表面色差，产品尺寸及外观是否变形损伤；

所述接触环与导向柱的组装包括以下步骤：

S3：将步骤S1.5中检测合格的接触环与步骤S2.4中检测合格的导向柱进行组装。

2.如权利要求1所述的一种低频连接器接触环组件的生产工艺，其特征在于：步骤S1.1中的铍青铜原材料在冲床连续模加工前先进行热处理：通过氨分解保护气氛固溶炉在760-780℃温度中保温15-18分钟，然后250℃温度中保温2小时取出空冷。

3.如权利要求1所述的一种低频连接器接触环组件的生产工艺，其特征在于：所述步骤S1.3中，热处理采用真空炉进行双重时效处理：一级时效温度220℃保温1.5小时，二级时效温度330℃保温2.5H。

4.如权利要求1所述的一种低频连接器接触环组件的生产工艺，其特征在于：步骤S1.1中，采用的铍青铜材料的硬度为HV210-230。

5.如权利要求1所述的一种低频连接器接触环组件的生产工艺，其特征在于：步骤S1.4中，接触环表面镀金厚度为0.03um以上。

6.如权利要求1所述的一种低频连接器接触环组件的生产工艺，其特征在于：步骤S2.3中，导向柱表面电镀铜底厚度为1-2um，电镀银厚度为3-3.6um。