[发明专利]双层ITO膜的LED芯片结构及其制作方法

权利要求书

1.一种双层ITO膜的LED芯片结构，其特征在于：在芯片衬底（1）上生长LED芯片外延结构，通过ICP刻蚀技术将暴漏区域的N-GaN层（4）刻蚀出来，形成N-GaN台阶，在芯片结构上镀SiO₂电流扩散层（7），第一层ITO膜（8）包覆在SiO₂电流扩散层（7）的整面上，在第一层ITO膜（8）表面上镀第二层ITO膜（9），第二层ITO膜（9）是在高温快速退火同时通入氧气而形成。

2.根据权利要求1所述的双层ITO膜的LED芯片结构，其特征在于：利用sputter溅射技术在芯片结构表面上镀第一层ITO膜（8）。

3.根据权利要求1所述的双层ITO膜的LED芯片结构，其特征在于：利用sputter溅射技术在第一层ITO膜（8）表面上镀第二层ITO膜（9）。

4.根据权利要求1所述的双层ITO膜的LED芯片结构，其特征在于：在第二层ITO膜（9）和暴露的N-GaN台阶部分分别制作N、P焊盘电极（10）。

5.一种双层ITO膜的LED芯片结构制作方法，其特征在于：包括以下步骤：

步骤S1，提供芯片衬底（1），在芯片衬底（1）上生长LED芯片外延结构；

步骤S2，通过ICP刻蚀技术将暴漏区域的N-GaN层（4）刻蚀出来，形成N-GaN台阶；

步骤S3，利用物理气相沉积和黄光蚀刻技术制作SiO₂电流扩散层（7）；

步骤S4，在芯片结构表面上镀第一层ITO膜（8），利用退火炉的高温快速退火，使ITO膜和P-GaN层（6）形成良好的欧姆接触，第一层ITO膜（8）包覆在SiO₂电流扩散层（7）的整面上；

步骤S5，在第一层ITO膜（8）表面上镀第二层ITO膜（9），利用退火炉的高温快速退火同时通入氧气的工艺制成。

6.根据权利要求5所述的双层ITO膜的LED芯片结构制作方法，其特征在于：步骤S2进一步包括，利用正性光刻掩膜技术制作掩膜图形，通过ICP刻蚀技术将暴漏区域的N-GaN层（4）刻蚀出来，形成N-GaN台阶。

7.根据权利要求5所述的双层ITO膜的LED芯片结构制作方法，其特征在于：步骤S4进一步包括，利用sputter溅射技术在芯片结构表面上镀第一层ITO膜（8）。

8.根据权利要求5所述的双层ITO膜的LED芯片结构制作方法，其特征在于：步骤S5进一步包括，利用sputter溅射技术在第一层ITO膜（8）表面上镀第二层ITO膜（9）。

9.根据权利要求5所述的双层ITO膜的LED芯片结构制作方法，其特征在于：还包括步骤S6，在第二层ITO膜（9）和暴露的N-GaN台阶部分分别制作N、P焊盘电极（10）。

10.根据权利要求9所述的双层ITO膜的LED芯片结构制作方法，其特征在于：步骤S6进一步包括，利用负性光刻掩膜技术制作焊盘电极图形，并通过电子束蒸发技术在第二层ITO膜（9）和暴露的N-GaN台阶部分分别制作N、P焊盘电极（10）。