[发明专利]一种堆叠结构及其制备方法

说明书

本申请公开了一种堆叠结构及其制备方法，其中，所述堆叠结构包括交替堆叠设置的氮化物层和氧化物层，所述氮化物层至少包括部分掺氧氮化物层，且所述掺氧氮化物层与位于所述氮化物层背离所述衬底一侧的氧化物层毗邻，如此设置的掺氧氮化物层可以在刻蚀过程中起到缓冲作用，避免了刻蚀工艺在从氧化物层刻蚀到氮化物层时，由于驱动方式突变而造成的氮化物层损毁或缺陷的问题，提升了基于所述堆叠结构制备的三维NAND存储器的电学性能。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，更具体地说，涉及一种堆叠结构及其制备方法。

背景技术

在三维NAND(与非)存储器的制备过程中，需要生长多层氮化物和氧化物交替堆叠设置的堆叠结构，且需要在堆叠结构基于刻蚀工艺形成深孔，以为后续形成硅立柱等结构奠定基础。

在实际应用过程中发现，现有的堆叠结构在刻蚀深孔的过程中会出现不必要的膜层损毁或缺陷，给后续制备获得的三维NAND存储器的电学性能带来了不良影响。

发明内容

为解决上述技术问题，本申请提供了一种堆叠结构及其制备方法，以解决堆叠结构在深孔刻蚀过程中导致的某些膜层损毁或缺陷的问题，提升制备获得的三维NAND存储器的电学性能。

为实现上述技术目的，本申请实施例提供了如下技术方案：

一种堆叠结构，应用于三维NAND存储器，所述堆叠结构基于衬底设置，所述堆叠结构包括：

位于所述衬底上交替堆叠设置的氮化物层和氧化物层；

所述氮化物层至少包括部分掺氧氮化物层，所述掺氧氮化物层与位于所述氮化物层背离所述衬底一侧的氧化物层毗邻。

可选的，所述氮化物层包括：

第一氮化物层；

位于所述第一氮化物层背离所述衬底一侧的第一掺氧氮化物层。

可选的，所述第一氮化物层包括氮化硅层；

所述第一掺氧氮化物层包括掺氧氮化硅层。

可选的，所述氮化物层包括：

第二掺氧氮化物层，所述第二掺氧氮化物层的掺氧浓度沿第一方向递增，所述第一方向垂直与所述衬底，且由所述衬底指向所述堆叠结构。

可选的，所述第二掺氧氮化物层包括掺氧氮化硅层。

可选的，还包括：

贯穿所述堆叠结构，且暴露出所述衬底的通孔。

一种堆叠结构的制备方法，应用于三维NAND存储器，所述堆叠结构的制备方法包括：

提供衬底；

在所述衬底上依次交替沉积氮化物层和氧化物层，以形成位于所述衬底上交替堆叠设置的氮化物层和氧化物层；所述氮化物层至少包括部分掺氧氮化物层，所述掺氧氮化物层与位于所述氮化物层背离所述衬底一侧的氧化物层毗邻。

可选的，所述在所述衬底上依次交替沉积氮化物层和氧化物层包括：

在所述衬底上依次交替沉积氮化物层和氧化物层，至少在形成所述氮化物层的后段制程中，通入含氧气体。

可选的，所述在所述衬底上依次交替沉积氮化物层和氧化物层包括：

在所述衬底上依次交替沉积氮化物层和氧化物层，在沉积所述氮化物层时通入含氧气体，且含氧气体的通入量随着氮化物层的沉积过程的进行而递增。

可选的，所述含氧气体包括：一氧化氮气体或一氧化二氮气体。