[发明专利]一种堆叠结构及其制备方法

权利要求书

1.一种堆叠结构，其特征在于，应用于三维NAND存储器，所述堆叠结构基于衬底设置，所述堆叠结构包括：

位于所述衬底上交替堆叠设置的氮化物层和氧化物层；

所述氮化物层至少包括部分掺氧氮化物层，所述掺氧氮化物层与位于所述氮化物层背离所述衬底一侧的氧化物层毗邻。

2.根据权利要求1所述的堆叠结构，其特征在于，所述氮化物层包括：

第一氮化物层；

位于所述第一氮化物层背离所述衬底一侧的第一掺氧氮化物层。

3.根据权利要求2所述的堆叠结构，其特征在于，所述第一氮化物层包括氮化硅层；

所述第一掺氧氮化物层包括掺氧氮化硅层。

4.根据权利要求1所述的堆叠结构，其特征在于，所述氮化物层包括：

第二掺氧氮化物层，所述第二掺氧氮化物层的掺氧浓度沿第一方向递增，所述第一方向垂直与所述衬底，且由所述衬底指向所述堆叠结构。

5.根据权利要求4所述的堆叠结构，其特征在于，所述第二掺氧氮化物层包括掺氧氮化硅层。

6.根据权利要求1所述的堆叠结构，其特征在于，还包括：

贯穿所述堆叠结构，且暴露出所述衬底的通孔。

7.一种堆叠结构的制备方法，其特征在于，应用于三维NAND存储器，所述堆叠结构的制备方法包括：

提供衬底；

在所述衬底上依次交替沉积氮化物层和氧化物层，以形成位于所述衬底上交替堆叠设置的氮化物层和氧化物层；所述氮化物层至少包括部分掺氧氮化物层，所述掺氧氮化物层与位于所述氮化物层背离所述衬底一侧的氧化物层毗邻。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述在所述衬底上依次交替沉积氮化物层和氧化物层包括：

在所述衬底上依次交替沉积氮化物层和氧化物层，至少在形成所述氮化物层的后段制程中，通入含氧气体。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述在所述衬底上依次交替沉积氮化物层和氧化物层包括：

在所述衬底上依次交替沉积氮化物层和氧化物层，在沉积所述氮化物层时通入含氧气体，且含氧气体的通入量随着氮化物层的沉积过程的进行而递增。

10.根据权利要求8或9任一项所述的方法，其特征在于，所述含氧气体包括：一氧化氮气体或一氧化二氮气体。