[发明专利]基座降温装置和背面金属溅镀机在审
申请号: | 202011504328.9 | 申请日: | 2020-12-18 |
公开(公告)号: | CN112647049A | 公开(公告)日: | 2021-04-13 |
发明(设计)人: | 祁志超;苏亚青;吕剑 | 申请(专利权)人: | 华虹半导体(无锡)有限公司 |
主分类号: | C23C14/34 | 分类号: | C23C14/34;C23C14/50;H01L21/67 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 焦天雷 |
地址: | 214028 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基座 降温 装置 背面 金属 溅镀机 | ||
本发明公开了一种基座降温装置,包括:冷源通过第一密闭保温管路向基座输送冷气;第一和第二密闭保温管路位于基座下方的部分全部被第一覆盖件和/或第二覆盖件;第一覆盖件设置在基座下方,其形成有第一密闭保温空间;第二覆盖件设置在第一覆盖件下方,其形成有第二密闭保温空间;第三密闭保温管路连接在正压产生装置和第一覆盖件之间;第四密闭保温管路连接在正压产生装置和第二覆盖件之间;第五密闭保温管路连接在负压产生装置和第一覆盖件之间;第六密闭保温管路连接在负压产生装置和第二覆盖件之间;本发明避免了腔体基座由于低温导致外界水汽附着在管路上形成冷凝水或者结冰,从而避免发生线路短路和环境安全问题。
技术领域
本发明涉及集成电路生产制造领域,特别是涉及一种用于背面金属溅镀机的基座降温装置。本发明还涉及一种具有所述基座降温装置的背面金属溅镀机。
背景技术
在集成电路生产制造领域使用的背面金属溅镀机(Backside PVD)中,较多的是镀膜Ti、NiV、Ag为金属层;且根据工艺需求,当Ti、NiV、Ag的腔体的基座(承载wafer的载体)在-15℃时的均匀度以及应力是最好的。因此,为了使基座维持在-15℃,则需要用到制冷机对基座进行降温。
制冷机通过冷凝管路输送制冷剂对基座进行降温,使基座保持在-15℃左右;但制冷机与基座之间的冷凝管路也是-15℃左右,通常晶圆生产车间的温度为24℃左右,易在冷凝管路表面产生冷凝水或者结冰。
所以基座底部易产生冷凝滴液,且基座底部有较多电源线路和信号线,如果水滴上去可能会导致短路等问题;而且晶圆生产车间高架地板下都有漏液传感器检测带,如果触发报警,则会导致环境安全问题。
发明内容
在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念,该简化形式的概念均为本领域现有技术简化,这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征,更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。
本发明要解决的技术问题是提供一种用于背面金属溅镀机能避免冷凝水产生的基座降温装置。
相应的,本发明还提供了一种具有所述基座降温装置的背面金属溅镀机。
为解决上述技术问题,本发明提供用于背面金属溅镀机基座的基座降温装置,包括:
冷源,其通过第一密闭保温管路向基座输送冷气,其用于降低基座温度;
第一密闭保温管路,其位于基座下方的部分全部被第一覆盖件和/或第二覆盖件,其用于向基座输送冷气;
第二密闭保温管路,其位于基座下方的部分全部被第一覆盖件和/或第二覆盖件,其用于经过基座的冷气返回冷源;
第一覆盖件,其设置在基座下方,其形成有第一密闭保温空间;
第二覆盖件,其设置在第一覆盖件下方,其形成有第二密闭保温空间;
第三密闭保温管路,其连接在正压产生装置和第一覆盖件之间;
第四密闭保温管路,其连接在正压产生装置和第二覆盖件之间;
第五密闭保温管路,其连接在负压产生装置和第一覆盖件之间;
第六密闭保温管路,其连接在负压产生装置和第二覆盖件之间;
其中,第三密闭管路和第五密闭保温管路形成第一密闭保温双套管,第四密闭保温管路和第六密闭保温管路形成第二密闭保温双套管。
可选择的,进一步改进所述的基座降温装置,第三密闭管路为第一密闭保温双套管的内管,第五密闭保温管路为第一密闭保温双套管的外管,第四密闭管路为第二密闭保温双套管的内管,第六密闭保温管路为第二密闭保温双套管的外管。
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