[发明专利]制造钟表组件的方法和由该方法获得的组件在审

专利信息
申请号: 202011500852.9 申请日: 2020-12-18
公开(公告)号: CN113009780A 公开(公告)日: 2021-06-22
发明(设计)人: P·库辛;A·甘德尔曼;M·穆希;C·戈尔菲耶尔 申请(专利权)人: 尼瓦罗克斯-法尔股份公司
主分类号: G03F7/00 分类号: G03F7/00;G03F7/40;G04B15/14;C25D5/10;C25D5/02;C25D1/00;C23C2/26;C23C2/02;B81C99/00
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 石克虎;杨戬
地址: 瑞士勒*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 制造 钟表 组件 方法 获得
【权利要求书】:

1.制造至少一种钟表组件的方法,包括以下步骤:

a)提供基底(1),在其上沉积第一导电层(2)并施加第一光敏树脂层(3);

b)使用压模热冲压第一树脂层(3),将压模(8)下压至基底以成型所述第一树脂层并限定所述钟表组件的第一层次;

c)通过限定所述组件的至少第一层次的掩模(4)照射第一成型树脂层(3),并溶解光敏树脂层(3)的未照射区域(3b)以便在一些位置露出所述第一导电层(2);

d)施加覆盖由步骤c)获得的结构的第二光敏树脂层(6),随后通过限定所述组件的第二层次的掩模(4”)照射第二树脂层(6),并溶解第二光敏树脂层(6)的未照射区域(6b)以形成包含第一和第二层次的模具;

e)在模具中由第一导电层(2)开始通过电成型来沉积金属层(7)以形成所述组件,所述层(7)基本到达第二光敏树脂层(6)的上表面;

f)相继除去所述基底、所述第一导电层和所述树脂以释放所述组件。

2.制造至少一种钟表组件的方法,包括以下步骤:

a’)提供基底(1),在其上沉积第一导电层(2)并施加第一光敏树脂层(3);

b’)通过限定所述组件的至少第一层次的掩模(4)照射第一树脂层(3)并溶解所述光敏树脂层(3)的未照射区域(3b)以便在一些位置露出所述第一导电层(2);

c’) 施加覆盖由步骤c)获得的结构的第二光敏树脂层(6),

d’)使用压模热冲压第二树脂层(6)以成型第二树脂层并限定所述钟表组件的第二层次;

e’) 通过限定所述组件的第二层次的掩模(4”)照射第二成型光敏树脂层(6),并溶解第二光敏树脂层(6)的未照射区域(6b)以形成包含第一和第二层次的模具;

f’)在模具中由所述第一导电层(2)开始通过电成型来沉积金属层(7)以形成所述组件,所述层(7)基本到达所述第二光敏树脂层(6)的上表面;

g’)相继除去所述基底、所述第一导电层和所述树脂以释放所述组件。

3.如权利要求1或2所述的方法,其特征在于步骤b)或步骤d’)在真空中进行。

4.如权利要求1或2所述的方法,其特征在于在步骤b)或步骤d’)的过程中,将第一树脂层加热到70℃至150℃。

5.如权利要求1至4任一项所述的方法,其特征在于所述压模具有浮雕压印,所述压印的至少一部分布置为在步骤b)中直接压向所述基底的表面。

6.如权利要求5所述的方法,其特征在于所述压模压印限定了所述组件的所述至少第一层次。

7.如权利要求1或2所述的方法,其特征在于所述方法在步骤c)或步骤b’)之后包括任选的步骤d),步骤d)包括在第一树脂层(3)的照射区域(3a)上局部沉积第二导电层(5)。

8.如权利要求7所述的方法,其特征在于通过模板掩模(4’)沉积所述第二导电层(5)。

9.如权利要求7所述的方法,其特征在于在步骤d)中,所述第二导电层(5)以整体沉积方式施加在所有暴露表面(包括侧壁)上,并随后除第一树脂层的上表面之外完全除去,其中所述上表面已经通过转印步骤(stamping strafe press step)沉积的抗蚀剂来保护。

10.如权利要求7所述的方法,其特征在于在步骤d)中,所述第二导电层(5)通过印刷墨或导电树脂来沉积。

11.如前述权利要求任一项所述的方法,其特征在于所述第一层(2)和所述第二导电层(5)为Au、Ti、Pt、Ag、Cr或Pd类型。

12.如前述权利要求任一项所述的方法,其特征在于基底(1)由硅制成。

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