[发明专利]一种半导体设备用分流增压装置及方法在审
申请号: | 202011497107.3 | 申请日: | 2020-12-17 |
公开(公告)号: | CN113327869A | 公开(公告)日: | 2021-08-31 |
发明(设计)人: | 钟兴进 | 申请(专利权)人: | 钟兴进 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 厦门仕诚联合知识产权代理事务所(普通合伙) 35227 | 代理人: | 吴圳添 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 半导体 备用 分流 增压 装置 方法 | ||
本发明涉及半导体领域,具体为一种半导体设备用分流增压装置及方法,包括第一供风系统、分流系统、风速控制器以及供电模块,通过第一供风系统以及第二供风系统将气流进行分流增压的调整,并通过在分流内设置分流区以及滞留区保证作业区域风流量的均匀性,很大程度上节省了再处理时间,减少设备调整周期,通过风速控制器,方便控制第一供风系统以及第二供风系统,有效提高操作便捷性及作业区域风流量分布的均匀性,通过第一转动电机以及第二转动电机调节分流出风口以及排风口上的竖向分流杆以及横向分流杆的角度,既而系统性的对供风系统的风流量及均匀性进行分布,提高设备对风流量的工艺精度要求,提升实际生产的效率。
技术领域
本发明涉及半导体领域,具体为一种半导体设备用分流增压装置及方法。
背景技术
在半导体前道工艺晶圆的生产过程中,因过程复杂成本高昂,对晶圆产能和合格率要求非常严格,在半导体设备实际生产中,会经常因设备内部温湿度及风流量的不均匀性而导致产能降低、无法满足产品合格率,现有技术中,供风系统直接排风至工作区域,而供风系统的分布及不均匀性无法保证晶圆工艺需求,需要进行多次调整,严重影响作业时间,降低合格品率。
发明内容
(一)解决的技术问题
针对现有技术的不足,本发明提供了一种气流均匀,提高加工精度的半导体设备用分流增压装置及方法。
(二)技术方案
为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:本发明的一种半导体设备用分流增压装置,包括第一供风系统、分流系统、风速控制器以及供电模块,所述第一供风系统与分流系统连接,所述分流系统包括分流管以及第二供风系统,所述分流系统上设有分流出风口,且所述分流出风口之间设有挡板相隔,所述分流管至少设有两个,所述分流管与分流系统的分流出风口连接,所述分流管的端部设有排风口,所述第二供风系统位于风流管的内部,所述分流出风口以及排风口上设有竖向分流杆以及横向分流杆,且所述横向分流杆位于竖向分流杆的外侧,所述竖向分流杆以及横向分流杆均设有多条,且多条竖向分流杆的两端以及多条横向分流杆的两端均设有连接杆连接,所述横向分流杆的一端设有第一转动电机,所述竖向分流杆的一端设有第二转动电机,且连接在多条竖向分流杆以及横向分流杆中间的竖向分流杆以及横向分离杆上,所述第一供风系统以及第二供风系统均与风速控制器之间设有导线连接,所述风速控制器与供电模块之间设有导线连接。
为了提高密封效果,本发明改进有,所述第一供风系统与分流系统的连接处设有密封垫,所述分流出风口与分流管的连接处设有密封垫。
为了增大增压效果,本发明改进有,所述分流管的内部设分流区以及直流区,所述分流区环绕分流管内侧设置,所述直流区位于分流区内部,且所述第二供风系统安装在直流区内。
为了提高第一供风系统以及第二供风系统的使用效果,本发明改进有,所述第一供风系统以及第二供风系统包括风箱、固定杆、安装板、电机以及扇叶,所述固定杆连接在风箱的内侧,所述安装板与固定杆连接,所述电机安装在安装板上,所述扇叶安装在电机上,且所述扇叶至少设有三个。
为了延长扇叶的使用寿命,本发明改进有,所述扇叶的外侧设有防腐层,且所述防腐层为电镀层或喷涂防腐漆。
为了提高操控性,本发明改进有,所述风速控制器包括外壳、显示屏、控制键以及主控系统,所述主控系统安装在外壳的内部,所述显示屏以及控制键安装在外壳的外侧,且与外壳嵌入连接,所述显示屏以及控制键与主控系统之间设有导线连接。
一种半导体设备用分流增压方法,包括以下步骤;
步骤一:启动供电模块;
步骤二:通过风速控制器中的控制键输入设定转速;
步骤三:显示屏显示风速信息并进行校对;
步骤四:第一供风系统将气流导入分流系统;
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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