[发明专利]半导体装置封装

说明书

本发明提供一种半导体装置封装，其包含发光装置、漫射器结构、第一光学传感器及第二光学传感器。所述发光装置具有发光表面。所述漫射器结构在所述发光装置的所述发光表面上方。所述第一光学传感器安置在所述漫射器结构下方，且所述第一光学传感器经配置以检测由所述漫射器结构反射的第一反射光。所述第二光学传感器安置在所述漫射器结构下方，且所述第二光学传感器经配置以检测由所述漫射器结构反射的第二反射光。

技术领域

本发明大体上涉及一种半导体装置封装。更具体地说，本发明涉及一种包含光学传感器的半导体装置封装。

背景技术

泛光照明器将光的泛光(flood of light)投射到周围环境上，且所述光由周围环境至少部分地反射并由传感器检测。泛光照明器可包含垂直腔面发射激光器(verticalcavity surface emitting laser；VCSEL)及在VCSEL之上的漫射器，且泛光照明器可发射具有所要发射图案的光并因此在近年来被广泛地使用。然而，由VCSEL直接发射的光具有相对小光束角以及相对高强度，且因此当漫射器未能正常地起作用时，由VCSEL发射的光可对人眼有危险。

发明内容

在一或多项实施例中，一种半导体装置封装包含发光装置、漫射器结构、第一光学传感器及第二光学传感器。所述发光装置具有发光表面。所述漫射器结构在所述发光装置的所述发光表面上方。所述第一光学传感器安置在所述漫射器结构下方，且所述第一光学传感器经配置以检测由所述漫射器结构反射的第一反射光。所述第二光学传感器安置在所述漫射器结构下方，且所述第二光学传感器经配置以检测由所述漫射器结构反射的第二反射光。

在一或多项实施例中，一种半导体装置封装包含发光装置、漫射器结构及光学传感器。所述发光装置具有发光表面。所述发光装置的所述发光表面具有第一侧及与所述第一侧成角度的第二侧，且所述发光表面的所述第一侧的长度大于所述发光表面的所述第二侧的长度。所述漫射器结构在所述发光装置的所述发光表面上方。所述光学传感器安置在所述漫射器结构下方并邻近所述发光表面的所述第一侧。所述光学传感器经配置以检测由所述漫射器结构反射的反射光。

在一或多项实施例中，一种半导体装置封装包含发光装置、漫射器结构及光学传感器。所述漫射器结构在所述发光装置上方。由所述发光装置发射并由所述漫射器结构反射的光形成发光强度图案。所述发光强度图案具有：具有最大光强度的第一区，及具有为所述第一区的所述最大光强度的约10％到约30％的光强度的第二区。所述光学传感器安置在所述发光强度图案的所述第二区中，且所述光学传感器经配置以检测由所述漫射器结构反射的反射光。

附图说明

当结合附图阅读时，从以下具体实施方式最佳地理解本发明的方面。应注意，各种特征可能未按比例绘制，且各种特征的尺寸可出于论述清晰起见而任意地增大或减小。

图1绘示根据本发明的一些实施例的半导体装置封装的俯视图；

图2绘示根据本发明的一些实施例的沿着图1中的横截面线2-2'的横截面图；

图3绘示根据本发明的一些实施例的半导体装置封装的横截面图；

图4绘示根据本发明的一些实施例的半导体装置封装的横截面图；

图5绘示根据本发明的一些实施例的半导体装置封装的横截面图；

图6绘示根据本发明的一些实施例的半导体装置封装的俯视图；

图7绘示根据本发明的一些实施例的沿着图6中的横截面线7-7'的横截面图；

图8绘示根据本发明的一些实施例的半导体装置封装的俯视图；

图9绘示根据本发明的一些实施例的沿着图8中的横截面线9-9'的横截面图；

图10绘示根据本发明的一些实施例的半导体装置封装的发光强度图案的示意图；