[发明专利]半导体装置封装在审
| 申请号: | 202011495725.4 | 申请日: | 2020-12-17 |
| 公开(公告)号: | CN113432047A | 公开(公告)日: | 2021-09-24 |
| 发明(设计)人: | 何信颖;詹勋伟;汤士杰;赖律名 | 申请(专利权)人: | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号: | F21K9/00 | 分类号: | F21K9/00;F21K9/60;F21K9/69;F21V5/00;F21Y115/30 |
| 代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 蕭輔寬 |
| 地址: | 中国台湾高雄市楠梓*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体 装置 封装 | ||
1.一种半导体装置封装,其包括:
发光装置,其具有发光表面;
漫射器结构,其在所述发光装置的所述发光表面上方;
第一光学传感器,其安置在所述漫射器结构下方,所述第一光学传感器经配置以检测由所述漫射器结构反射的第一反射光;及
第二光学传感器,其安置在所述漫射器结构下方,所述第二光学传感器经配置以检测由所述漫射器结构反射的第二反射光。
2.根据权利要求1所述的半导体装置封装,其中所述第一光学传感器经配置以检测所述第一反射光的第一光强度,且所述第二光学传感器经配置以检测所述第二反射光的第二光强度。
3.根据权利要求2所述的半导体装置封装,其进一步包括耦合到所述第一光学传感器及所述第二光学传感器的处理单元,其中
所述处理单元经配置以根据所述第一反射光的所述第一光强度产生第一相对光强度变化并根据所述第二反射光的所述第二光强度产生第二相对光强度变化;且
所述处理单元经配置以确定所述第一相对光强度变化及所述第二相对光强度变化是否满足预定准则。
4.根据权利要求1所述的半导体装置封装,其中所述发光装置的所述发光表面具有第一侧及与所述第一侧成角度的第二侧,所述第一光学传感器邻近所述发光表面的所述第一侧而安置,且所述第二光学传感器邻近所述发光表面的所述第二侧而安置。
5.根据权利要求4所述的半导体装置封装,其中所述发光表面的所述第一侧的长度大于所述发光表面的所述第二侧的长度。
6.根据权利要求1所述的半导体装置封装,其中所述发光装置包括表面发光激光器元件。
7.根据权利要求1所述的半导体装置封装,其中所述漫射器结构包括在面对所述发光装置的所述发光表面的第一表面上的微结构。
8.一种半导体装置封装,其包括:
发光装置,其具有发光表面,其中所述发光装置的所述发光表面具有第一侧及与所述第一侧成角度的第二侧,且所述发光表面的所述第一侧的长度大于所述发光表面的所述第二侧的长度;
漫射器结构,其在所述发光装置的所述发光表面上方;及
光学传感器,其安置在所述漫射器结构下方并邻近所述发光表面的所述第一侧,所述光学传感器经配置以检测由所述漫射器结构反射的反射光。
9.根据权利要求8所述的半导体装置封装,其进一步包括:
温度传感器,其安置在所述漫射器结构下方,所述温度传感器经配置以检测所述半导体装置封装的温度。
10.根据权利要求9所述的半导体装置封装,其进一步包括耦合到所述光学传感器及所述温度传感器的处理单元,其中
所述处理单元经配置以根据所述反射光的光强度产生相对光强度变化并根据由所述温度传感器检测的所述温度产生相对温度变化;且
所述处理单元经配置以确定所述相对光强度变化及所述相对温度变化是否满足预定准则。
11.根据权利要求9所述的半导体装置封装,其中所述发光装置包括表面发光激光器元件,且所述温度传感器包括热敏电阻。
12.根据权利要求8所述的半导体装置封装,其中所述漫射器结构包括在面对所述发光装置的所述发光表面的第一表面上的微透镜阵列,及在与所述第一表面相对的第二表面上的凸透镜。
13.根据权利要求8所述的半导体装置封装,其进一步包括:
壳体结构,其中所述漫射器结构安置在所述壳体结构上,且所述壳体结构及所述漫射器结构界定围封空间以容纳所述发光装置及所述光学传感器。
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