[发明专利]封装体及其制造方法

说明书

一种封装体，包括包封于塑封层的芯片和多个引脚，所述芯片与每一引脚通过一接合线电性连接，其中，所述芯片的一表面上设置一绝缘层，所述塑封层暴露所述绝缘层的一表面及每一引脚的一表面；并且，所述绝缘层的材料为热固性树脂。

技术领域

本申请涉及半导封装领域，特别涉及一种封装体及该封装体的制造方法。

背景技术

QFN封装是常用的封装体结构。图1所示的是一传统QFN封装结构。如图1所示。传统QFN封装体1包括：通过粘合剂2贴装于支撑垫片(基岛)3的芯片4。所述芯片4进而在封装过程中被支撑在所述支撑垫片3上以进行固定，以便于进行形成接合线5的制程。最终以塑封层6封装后获得封装体。

目前，针对电子产品趋于轻、薄、小等要求，对于封装体尺寸提出了进一步的要求，尤其是在封装体的厚度方面，提出了更薄的要求。

然而，如图1所示的封装体1中，由于所述支撑垫片3的存在，其自身的厚度增加了所述封装体1的整体厚度，也同时抬高了所述接合线5的线弧，致使所述封装体1的厚度无法进一步缩小。

并且，由于所述支撑垫片3的存在是在封装体的封装过程中对所述芯片4起到支撑和固定的作用，因而以现有的封装体结构和封装方法无法对图1所示的封装体1的厚度进行进一步的缩小。

因此，有必要提供一种新的封装体，以克服上述缺陷。

发明内容

本申请的目的在于提供一种封装体及该封装体的制造方法，通过去除所述封装体内芯片的金属芯垫(或称基岛)，以获得超薄封装体。

为了达到上述目的，根据本申请的一方面提供一种封装体，包括包封于塑封层的芯片和多个引脚，所述芯片与每一引脚通过一接合线电性连接；所述芯片的一表面上设置一绝缘层，所述塑封层暴露所述绝缘层的一表面及每一引脚的一表面；其中，所述绝缘层的材料为热固性树脂。

在一些实施例中，所述热固性树脂为环氧树脂、不饱和聚酯树脂、酚醛树脂、三聚氰胺甲醛树脂或呋喃树脂中的一种或几种混合。

在一些实施例中，所述绝缘层的厚度为15μm～50μm。

在一些实施例中，所述多个引脚围绕所述芯片设置，并且，至少一引脚朝向所述芯片的一端朝向所述芯片延伸，以形成一端子；所述端子包封于所述封装层内。

根据本申请的另一方面，还提供一种封装体的制造方法，所述制造方法包括：

提供一承载基板；

在所述承载基板上形成图案化金属层，以构成多个引脚；

提供一具有一功能面和与所述功能面相对的背面的晶圆，在所述晶圆的所述背面形成一绝缘层，切割后形成多个设置有绝缘层的芯片；

将所述设置有绝缘层的芯片贴附于所述承载基板上；

形成多条接合线，以使所述芯片与每一引脚通过一接合线电性连接；以及，

形成塑封层以包封所述芯片、所述多条接合线及所述多个引脚，并且，去除所述承载基板，以使所述塑封层暴露所述绝缘层的一表面及每一引脚的一表面。

在一些实施例中，在去除所述承载基板的步骤后，所述制造方法还包括：切割步骤，以形成单个封装体。

在一些实施例中，在所述承载基板上形成图案化金属层的步骤中，通过电镀形成所述图案化金属层。

在一些实施例中，在所述承载基板上形成图案化金属层的步骤中，通过两步电镀形成所述图案化金属层，以构成多个引脚，使得至少一引脚远离所述承载基板的一表面在所述承载基板上的投影面积大于该引脚接触所述承载基板的一表面在所述承办基板上的投影面积。