[发明专利]一种高分辨率微显示器缺陷修复方法

说明书

本发明公开了一种高分辨率微显示器缺陷修复方法，所述方法具体包括如下步骤：S1、定义亮点的亮度阈值，定位微显示器中的亮点坐标；S2、将亮点坐标导入聚焦粒子束设备，聚焦粒子束设备对亮点坐标对应的像素进行缺陷修复。本发明通过使用自动点屏和光学测试设备自动定位缺陷坐标，FIB设备根据缺陷坐标自动定位，FIB直接沉积遮挡层或者先切割再沉积保护层，从而实现缺陷的自动定位和自动修补，解决了激光修补精度差，不能修补微显的问题，同时避免了激光修补热效应导致的邻近像素失效和封装失效的问题。

技术领域

本发明属于微显示器技术领域，更具体地，本发明涉及一种高分辨率微显示器缺陷修复方法。

背景技术

缺陷修复技术是一种在显示中常用的使用激光修复工艺中产生的缺陷，提升良率的技术，用于点缺陷修补、线缺陷修补、AA区像素缺陷修补、表面异物排除等。由于激光光斑的限制，修复精度≥1μm，针对不良产品的亮点、特别是微亮点的检测及修复，修复切割的最小线宽为1μm。且由于利用的是激光的热效应，熔融烧断金属进行修复，所以会影响附近像素点。

微显示一般使用硅基CMOS驱动芯片，CMOS工艺中的缺陷，例如刻蚀残留，线宽过小，离子注入剂量偏差等会导致驱动芯片漏电较大，所以微显示的亮点、暗态下的微亮点很多，需要使用修复技术。由于微显示分辨率比一般显示高很多，驱动电路金属线宽和线间距≤0.2um，激光烧蚀很容易烧断附近的金属线，或者烧蚀到下层的金属线，导致亮线、暗线或黑屏。同时由于微显示像素间距一般≤0.4um，激光修复的热效应容易扩散到附近像素，影响附近像素，导致较大的黑点。而且激光修复可能破坏薄膜封装层，导致封装失效，影响屏体可靠性。

发明内容

本发明提供了一种高分辨率微显示器缺陷修复方法，旨在改善上述问题。

本发明是这样实现的，一种高分辨率微显示器缺陷修复方法，所述方法具体包括如下步骤：

S1、定义亮点的亮度阈值，定位微显示器中的亮点坐标；

S2、将亮点坐标导入聚焦粒子束设备，聚焦粒子束设备对亮点坐标对应的像素进行缺陷修复。

进一步的，缺陷修复的方法具体如下：

聚焦粒子束设备在亮点坐标对应的像素处沉积不透光材料，使得亮点坐标对应的像素不透光。

进一步的，不透光材料为碳、钨、铂或铜。

进一步的，聚焦粒子束设备通过电子束或者离子束沉积不透光的金属膜层；

电子束沉积条件：电压0.5KV-5KV，电流0.1nA-10nA，气源打开；

离子束沉积条件：电压5KV-50KV，电流2pA/um²-50pA/um²，气源打开；

在不透光材料为铂时，气源为甲基环戊二烯基铂，在不透光材料为钨时，气源为六羰基钨沉积钨，在不透光材料为铜时，气源为双六氟乙酰丙酮合铜，在不透光材料为碳时，气源为烷烃类。

进一步的，缺陷修复的方法具体如下：

用聚焦粒子束设备的离子束或电子束在亮点坐标对应的像素上进行切割，切割掉微显示器上阴极或发光层；

再用离子束或电子束在亮点坐标对应的像素上沉积一层氧化硅，进行封装保护。

进一步的，聚焦粒子束设备通过电子束或者离子束辅助沉积氧化硅，

电子束沉积条件：电压0.5-5KV，电流0.1-10nA，通入硅烷气源；

离子束沉积条件：电压5-50KV，电流2-50pA/um2，通入硅烷气源。