[发明专利]一种高分辨率微显示器缺陷修复方法

权利要求书

1.一种高分辨率微显示器缺陷修复方法，其特征在于，所述方法具体包括如下步骤：

S1、定义亮点的亮度阈值，定位微显示器中的亮点坐标；

S2、将亮点坐标导入聚焦粒子束设备，聚焦粒子束设备对亮点坐标对应的像素进行缺陷修复。

2.如权利要求1所述高分辨率微显示器缺陷修复方法，其特征在于，缺陷修复的方法具体如下：

聚焦粒子束设备在亮点坐标对应的像素处沉积不透光材料，使得亮点坐标对应的像素不透光。

3.如权利要求2所述高分辨率微显示器缺陷修复方法，其特征在于，不透光材料为碳、钨、铂或铜。

4.如权利要求3所述高分辨率微显示器缺陷修复方法，其特征在于，聚焦粒子束设备通过电子束或者离子束沉积不透光的金属膜层；

电子束沉积条件：电压0.5KV-5KV，电流0.1nA-10nA，气源打开；

离子束沉积条件：电压5KV-50KV，电流2pA/um²-50pA/um²，气源打开；

在不透光材料为铂时，气源为甲基环戊二烯基铂，在不透光材料为钨时，气源为六羰基钨沉积钨，在不透光材料为铜时，气源为双六氟乙酰丙酮合铜，在不透光材料为碳时，气源为烷烃类。

5.如权利要求1所述高分辨率微显示器缺陷修复方法，其特征在于，缺陷修复的方法具体如下：

用聚焦粒子束设备的离子束或电子束在亮点坐标对应的像素上进行切割，切割掉微显示器上阴极或发光层；

再用离子束或电子束在亮点坐标对应的像素上沉积一层氧化硅，进行封装保护。

6.如权利要求5所述高分辨率微显示器缺陷修复方法，其特征在于，聚焦粒子束设备通过电子束或者离子束辅助沉积氧化硅，

电子束沉积条件：电压0.5-5KV，电流0.1-10nA，通入硅烷气源；

离子束沉积条件：电压5-50KV，电流2-50pA/um2，通入硅烷气源。