[发明专利]激光退火装置、激光退火处理用连续传送路径以及激光退火处理方法

说明书

本发明提供一种激光退火装置(1)，对被处理体(100)照射激光(42)进行退火处理，包括将被处理体(100)在一定方向上连续传送的连续传送路径(2)、对在连续传送路径(2)传送的被处理体(100)照射激光(42)的激光照射单元，连续传送路径(2)具备在连续传送路径(2)的上游侧搬入被处理体(100)进行传送的搬入传送路径(2a)、在搬入传送路径(2a)的下游侧传送被处理体(100)并向被处理体(100)照射激光(42)进行退火处理的照射区域传送路径(2b)、以及在照射区域传送路径(2b)的下游侧将经过退火处理后的被处理体(100)传送并搬出的搬出传送路径(2c)。

本申请是发明名称为“激光退火装置、激光退火处理用连续传送路径、激光照射单元以及激光退火处理方法”、国际申请日为2015年5月8日、申请号为201580003126.7(国际申请号为PCT/JP2015/063344)的发明专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及对被处理体照射激光来进行退火处理的激光退火装置、激光退火处理用连续传送路径、激光照射单元以及激光退火处理方法。

背景技术

在被处理体的退火处理中，有进行如下的退火处理：例如对硅基板或玻璃基板等非晶半导体照射激光来使其结晶，或者对多晶半导体照射激光来使其变为单晶，或者对半导体照射激光来改变性质，或者使杂质活性化或稳定化。

此外，退火处理的目的不限于上述目的，包括了对被处理体照射激光来进行热处理的全部处理。

进行退火处理的激光退火装置如图10所示，在处理室30内，配置有平台31可沿着扫描方向往返移动(X轴方向)。在该示例中，通过在氮气中悬浮移动，平台31能在X方向移动。此外，处理室30内在工艺进行过程中在氮气气氛下进行调整，且在激光的照射位置上设有气密部34，使氧浓度更低的氮气向被处理体周边喷出以进行遮挡。

在退火处理时，如图11的流程图所示，在处理室30的附近，准备在基板上形成有半导体膜的板状被处理体100，使平台31向设置在处理室30的出入口35侧移动并通过出入口35，将被处理体100搬入处理室30内，并将被处理体100放置在平台31上。之后，出入口35被关闭并在处理室30内保持氮气气氛。使被处理体100伴随平台31的移动而移动，并对该被处理体100的半导体膜照射激光42，从而相对地扫描激光并照射被处理体100来进行退火处理。通过将平台31绕与X轴正交的方向(Y轴方向)旋转或使平台31旋转(θ轴旋转)，来提高被处理体100的处理性。

在该被处理体100的整个面上进行了退火处理后，使平台31返回到搬入位置，打开出入口35从处理室30内取出退火处理后的被处理体100，并移动到规定位置。接着，在处理室30的附近准备未退火处理的新的被处理体100，重复进行与上述相同的处理。

在上述装置中，虽然对于具有一个搬入、搬出的出入口的情况进行了说明，但是已知也有在处理室的相对壁上分别设置搬入用出入口和搬出用出入口的装置(例如参照专利文献1)。在该装置中，能将退火处理结束后的半导体基板从搬出用出入口取出。但是，在将下一个被处理体搬入时，要使平台移动至搬入侧，从搬入侧的出入口搬入新的被处理体。

如上所述，在以往的退火处理装置中，由搬入口将1个被处理体搬入装置内，经退火处理后，从搬出口(一般情况下，与搬入口为同一出入口)搬出(批量处理)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利特开平09－139355号公报

发明内容

发明所要解决的技术问题