[发明专利]激光退火装置、激光退火处理用连续传送路径以及激光退火处理方法在审
申请号: | 202011489205.2 | 申请日: | 2015-05-08 |
公开(公告)号: | CN112582322A | 公开(公告)日: | 2021-03-30 |
发明(设计)人: | 谷川贞夫;泽井美喜 | 申请(专利权)人: | 株式会社日本制钢所 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01L21/67;H01L21/324 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 俞丹 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 激光 退火 装置 处理 连续 传送 路径 以及 方法 | ||
1.一种激光退火装置,向被处理体照射激光进行退火处理,其特征在于,具备:
能够在同一时期内向一个规定的传送方向将多个所述被处理体以沿着所述传送方向排列的方式连续地进行传送的连续传送路径、以及
向在所述连续传送路径上传送的所述被处理体照射所述激光的激光照射单元,且所述激光在照射工艺期间以外也持续振荡,
所述连续传送路径具备支承所述被处理体的支承单元和具有升降部的移动单元,该移动单元在所述支承单元的两侧对受到所述支承单元支承的所述被处理体进行进一步支承并使其沿着传送方向移动,所述升降部能够调整所述两侧的支承位置的升降,
所述支承单元是通过向上方吹出气体使所述被处理体悬浮从而进行支承的气体悬浮单元,
所述被处理体在传送过程中以悬臂状态在所述两侧中的一侧受到所述支承单元的支承,紧跟在所述被处理体之后传送来的被处理体以悬臂状态在另一侧受到所述支承单元的支承。
2.如权利要求1所述的激光退火装置,其特征在于,包括:
照射所述激光的处理室、
位于所述连续传送路径的上游侧并且设置于所述处理室的搬入口、以及
位于所述连续传送路径的下游侧并且设置于所述处理室的搬出口,
所述连续传送路径位于从所述搬入口到所述搬出口的整个路径。
3.如权利要求1或2所述的激光退火装置,其特征在于,
所述连续传送路径具备向所述被处理体照射所述激光并且传送所述被处理体的照射区域传送路径、以及位于所述照射区域传送路径的上游侧及下游侧的搬出搬入传送路径,
所述搬出搬入传送路径能以比所述照射区域传送路径的传送速度更大的传送速度传送所述被处理体。
4.如权利要求3所述的激光退火装置,其特征在于,
所述搬出搬入传送路径的传送速度可变。
5.如权利要求4所述的激光退火装置,其特征在于,
所述搬出搬入传送路径至少能以与所述照射区域传送路径相同的传送速度和比该传送速度更大的传送速度进行传送。
6.如权利要求1或2所述的激光退火装置,其特征在于,
所述气体悬浮单元使用惰性气体作为所述气体。
7.如权利要求1或2所述的激光退火装置,其特征在于,
所述移动单元在将所述被处理体传送到所述连续传送路径的下游侧后,能返回移动到所述连续传送路径的上游侧。
8.如权利要求1或2所述的激光退火装置,其特征在于,
具备喷射局部气体的局部气体密封部,该局部气体至少覆盖在所述连续传送路径中被所述激光照射的所述被处理体的表面区域。
9.如权利要求8所述的激光退火装置,其特征在于,
所述局部气体为惰性气体。
10.如权利要求8所述的激光退火装置,其特征在于,
除了所述局部气体以外的气氛为空气。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造