[发明专利]一种光刻胶去胶液及其制备方法和应用

说明书

本发明提供了一种光刻胶去胶液及其制备方法和应用，所述光刻胶去胶液以重量份数计包括氢氧化季铵0.5‑10份、有机溶剂65‑85份、有机醇胺1‑20份、有机醇0.1‑5份、金属保护剂0.01‑5份和阻蚀剂0.1‑5份。本发明提供的光刻胶去胶液去胶速度快、去胶能力强，在较低温度都能保持去胶性能，而且降低了对金属、硅、氧化硅、钝化等各种底材的腐蚀，延长了工作时间，水溶性好，容易清洗。

技术领域

本发明属于半导体制造领域，具体涉及一种光刻胶去胶液及其制备方法和应用，尤其涉及一种去胶能力强的光刻胶去胶液及其制备方法和应用。

背景技术

光刻胶也称为光致抗蚀剂，是一种不导电的光敏材料，它通过受到光照后特性会发生改变的原理将光刻掩膜版上的图形转移到晶圆片上。显影过后未固化的光刻胶需要用去胶液洗掉，暴露出底材再进行相应的蚀刻。目前市场上大部分去胶液存在去胶速度慢、有胶残留、长时间工作后腐蚀金属或伤钝化层的问题。

CN107577121A公开了一种光刻胶去胶液，其配方包括：1-30wt％醇类，0.1-10wt％有机醇胺，0.1-5wt％季铵碱，60-90wt％极性非质子有机溶剂以及补足余量的去离子水。该发明的光刻胶去胶液不仅大大提高了去胶速度及去胶能力，而且降低了对金属、钝化层、氧化硅等各种底材的腐蚀；水溶性比较好，去胶过后容易清洗。但其组成中没有阻蚀剂和金属保护剂，对底材仍存在一定腐蚀。

CN107346095A公开了一种半导体制程正性光刻胶去胶液，包含链烷醇胺、金属缓蚀剂、与水混溶的极性有机溶剂、添加剂和水，添加剂为低碳硝基烷烃及其衍生物，低碳硝基烷烃的碳原子数为1-3。该半导体制程正性光刻胶去胶液可以快速去除正性光刻胶层，且去胶液中光刻胶的溶解度增加，处理后的半导体表面无光刻胶残留，且对光刻胶下方的铝层或铜层或铜铝合金层没有腐蚀。

目前市场上的去胶液存在着去胶速度慢、有胶残留、腐蚀金属的问题。因此，如何提供一种去胶速度快、无残留、不腐蚀金属的去胶液，成为了亟待解决的问题。

发明内容

针对现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种光刻胶去胶液及其制备方法和应用，尤其提供一种去胶能力强的光刻胶去胶液及其制备方法和应用。本发明提供的光刻胶去胶液去胶速度快、去胶能力强，在较低温度都能保持去胶性能，而且降低了对金属、硅、氧化硅、钝化等各种底材的腐蚀，延长了工作时间，水溶性好，容易清洗。

为达到此发明目的，本发明采用以下技术方案：

第一方面，本发明提供了一种光刻胶去胶液，所述光刻胶去胶液以重量份数计包括氢氧化季铵0.5-10份、有机溶剂65-85份、有机醇胺1-20份、有机醇0.1-5份、金属保护剂0.01-5份和阻蚀剂0.1-5份。

其中，氢氧化季铵的份数可以是0.5份、1份、2份、3份、4份、5份、6份、7份、8份、9份或10份等，有机溶剂的份数可以是65份、66份、67份、68份、69份、70份、71份、72份、73份、74份、75份、76份、77份、78份、79份、80份、81份、82份、83份、84份或85份等，有机醇胺的份数可以是1份、3份、5份、7份、9份、11份、13份、15份、17份或20份等，有机醇的份数可以是0.1份、0.2份、0.3份、0.5份、1份、2份、3份、4份或5份等，金属保护剂的份数可以是0.01份、0.02份、0.03份、0.05份、0.1份、0.2份、0.3份、0.5份、1份、2份、3份、4份或5份等，阻蚀剂的份数可以是0.1份、0.2份、0.3份、0.5份、1份、2份、3份、4份或5份等，但不限于以上所列举的数值，上述数值范围内其他未列举的数值同样适用。

上述特定配比的光刻胶去胶液通过利用金属保护剂以及金属保护剂和阻蚀剂的协同作用降低了所述光刻胶去胶液对基材的腐蚀，延长了工作时间；同时具有较块去胶速度及较强去胶能力，在较低温度都能保持去胶性能，水溶性好，容易清洗。