[发明专利]一种光刻胶去胶液及其制备方法和应用在审

专利信息
申请号: 202011486530.3 申请日: 2020-12-16
公开(公告)号: CN112540515A 公开(公告)日: 2021-03-23
发明(设计)人: 梁豹;方磊;杜冰;刘文永;邱柱;刘伟;张茂;张兵;赵建龙;向文胜;朱坤;陆兰 申请(专利权)人: 江苏艾森半导体材料股份有限公司
主分类号: G03F7/32 分类号: G03F7/32
代理公司: 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人: 巩克栋
地址: 215300 江苏省苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 光刻 胶去胶液 及其 制备 方法 应用
【权利要求书】:

1.一种光刻胶去胶液,其特征在于,所述光刻胶去胶液以重量份数计包括氢氧化季铵0.5-10份、有机溶剂65-85份、有机醇胺1-20份、有机醇0.1-5份、金属保护剂0.01-5份和阻蚀剂0.1-5份。

2.根据权利要求1所述的光刻胶去胶液,其特征在于,所述光刻胶去胶液以重量份数计包括氢氧化季铵2-8份、有机溶剂70-80份、有机醇胺5-15份、有机醇1-4份、金属保护剂1-4份和阻蚀剂1-4份。

3.根据权利要求1或2所述的光刻胶去胶液,其特征在于,所述氢氧化季铵包括四甲基氢氧化铵、四乙基氢氧化铵、四丙基氢氧化铵、四丁基氢氧化铵、乙基三甲基氢氧化铵、二乙基二甲基氢氧化铵、甲基三丙基氢氧化铵、丁基三甲基氢氧化铵、甲基三丁基氢氧化铵、(2-羟基乙基)三甲基氢氧化铵、(2-羟基乙基)三乙基氢氧化铵、(3-羟基丙基)三乙基氢氧化铵、氢氧化四乙醇铵、苯基三甲基氢氧化铵或苯甲基三甲基氢氧化铵中任意一种或至少两种的组合,优选四甲基氢氧化铵和四丙基氢氧化铵的组合。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的光刻胶去胶液,其特征在于,所述有机溶剂包括N-甲基吡咯烷酮、二甲基亚砜、N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、乙二醇单丁醚、乙二醇单甲醚、丙二醇单丁醚、二乙二醇单甲醚或二乙二醇单丁醚中任意一种或至少两种的组合,优选二甲基亚砜。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的光刻胶去胶液,其特征在于,所述有机醇胺包括单乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺或二甘醇胺中任意一种或至少两种的组合。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的光刻胶去胶液,其特征在于,所述有机醇包括一元醇、二元醇或三元醇中任意一种或至少两种的组合,优选二元醇;

优选地,所述一元醇包括乙醇、异丙醇或3-甲基-3-甲氧基-1-丁醇中任意一种或至少两种的组合;

优选地,所述二元醇包括乙二醇和/或丙二醇;

优选地,所述三元醇包括丙三醇。

7.根据权利要求1-6中任一项所述的光刻胶去胶液,其特征在于,所述金属保护剂包括有机硅烷类化合物,所述有机硅烷类化合物包括3-氨丙基三甲氧基硅烷、(3-氨丙基)三乙氧基硅烷、二乙烯三胺基丙基三甲氧基硅烷、苯基三甲氧基硅烷、苯基三乙氧基硅烷、正辛基三甲氧基硅烷、正癸基三甲氧基硅烷、甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、γ-氨丙基甲基二乙氧基硅烷、γ-氨丙基甲基二甲氧基硅烷、γ-巯丙基三甲氧基硅烷或γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷中任意一种或至少两种的组合,优选3-氨丙基三甲氧基硅烷。

8.根据权利要求1-7中任一项所述的光刻胶去胶液,其特征在于,所述阻蚀剂包括苯并三氮唑、苯并咪唑、3-氨基-1,2,4-三唑、5-苯基四唑、5-氨基-1H-四唑、咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、2-巯基苯并咪唑、2-巯基苯并噻唑、2,5-二巯基噻二唑、N,N-二乙基羟胺、半胱氨酸、氨基硫脲、N,N-二苯基硫脲、2-硫脲嘧啶、硅酸乙酯、8-羟基喹啉、8-羟基异喹啉、硫代苹果酸、没食子酸、植酸或儿茶酚中任意一种或至少两种的组合,优选苯并三氮唑和苯并咪唑的组合。

9.一种根据权利要求1-8中任一项所述的光刻胶去胶液的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括以下步骤:将氢氧化季铵、有机醇胺、有机醇、金属保护剂和阻蚀剂溶于有机溶剂中,得到所述光刻胶去胶液。

10.一种根据权利要求1-8中任一项所述的光刻胶去胶液在半导体封装或晶圆制造中的应用。

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