[发明专利]一种湿法刻蚀制备硅基OLED阳极的方法

说明书

本发明公开一种湿法刻蚀工艺制备硅基OLED阳极的方法，包括以下步骤：用去离子水清洗硅基板，在硅基板上蒸镀阳极层，在阳极层上形成抗反射涂层和光刻胶层，用光刻技术制备出图形像素，采用腐蚀溶液腐蚀底部不被抗反射涂层和光刻胶层保护的阳极层，用N‑甲基吡咯烷酮溶液去除抗反射涂层和光刻胶层，形成阳极像素点，对硅基板进行清洗、烘干。本发明针对以硅片为衬底的微型OLED显示器，使用湿法刻蚀工艺代替传统湿法剥离方法制备阳极像素点，使子像素间距更小，像素密度高，从而在0.6英寸的微型OLED显示器上实现分辨率为1280*1024的微型全彩有机显示器，相比于干法刻蚀工艺，湿法刻蚀工艺的成本更低，易实现量产。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其是一种湿法刻蚀制备硅基OLED阳极的方法。

背景技术

微型有机发光二极管（OLED）显示器具有自发光，宽视角，高亮度，高流明效率，低操作电压，反应时间快等特点，被认为是具有潜力的显示技术之一且能满足消费者对显示技术的新需求并逐渐成为主流方向。有机电致发光器件的全彩化技术主要有白光器件结合彩色滤光片法、RGB像素独立发光法和下转换法等，其中以白光为背光，再加上彩色滤光片的方法能有效解决RGB像素金属荫罩对准精度问题，是目前业内公认实现全色彩显示最简单的方法。

一般白光器件结合彩色滤光片法的阳极像素点制造是由剥离（Lift-off）技术完成，剥离和湿法刻蚀技术共同点均使用溶液进行腐蚀，在大尺寸基片上使用溶液腐蚀技术，剥离的均匀性取决于溶液的温度、浓度等。两者除了工艺流程上的区别之外，在光刻胶的选择上也存在差异。Lift-off工艺为了防止蒸镀的金属膜连在一片导致溶液渗透不进去，通常采用负性光刻胶或者反转胶形成倒梯形，而负胶的分辨率比正胶要低，所以制备的像素点间距比较大。湿法腐蚀采用分辨率更高的正性光刻胶，可以得到更低的像素点间距（0.6-0.8微米）。

干法刻蚀可以得到更小的像素间距（0.3-0.5微米），但是它的刻蚀选择比差，而且反应离子易对器件造成损伤，设备昂贵。因此湿法刻蚀可应用在一些分辨率要求不高的显示器件，容易实现量产。

发明内容

本发明要解决的技术问题是：使用传统剥离技术制备的OLED阳极像素点间距较大和针对干法刻蚀工艺成本大等问题。

本发明解决该技术问题采用的技术方案如下。

一种湿法刻蚀制备硅基OLED阳极的方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一，用去离子水清洗硅基板；

步骤二，在所述硅基板上蒸镀阳极层，所述阳极层包括钛膜层、镍膜层、铝膜层中的至少一种导电膜层，所述阳极层厚度为60纳米；

步骤三，在所述阳极层上均匀旋涂一层碱溶性抗反射涂层BARC，厚度为0.8微米，在所述抗反射涂层上均匀旋涂一层正性光刻胶，厚度为1.5微米，所述抗反射涂层和光刻胶层的厚度均匀性误差在百分之三以下；

步骤四，对所述光刻胶层和抗反射涂层进行前烘、曝光、显影、定影、后烘流程，被光照的区域溶解于显影液中，留下未被曝光的区域保护阳极像素图形；

步骤五，采用腐蚀溶液腐蚀底部未被所述光刻胶层和抗反射涂层保护的所述阳极层；

步骤六，在高压下用N-甲基吡咯烷酮溶液去除所述光刻胶层和抗反射涂层，形成阳极像素点；

步骤七，对所述硅基板进行清洗、烘干。

作为优选，所述步骤五中所述腐蚀溶液为硝酸、盐酸、磷酸、硫酸、醋酸、氟化铵中的至少一种。

作为优选，所述步骤五中腐蚀过程的温度为20至80摄氏度。

作为优选，所述步骤五中腐蚀的速率为8至200埃每秒。

本发明的有益效果是：