[发明专利]一种湿法刻蚀制备硅基OLED阳极的方法

权利要求书

1.一种湿法刻蚀制备硅基OLED阳极的方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一，用去离子水清洗硅基板；

步骤二，在所述硅基板上蒸镀阳极层，所述阳极层包括钛膜层、镍膜层、铝膜层中的至少一种导电膜层，所述阳极层厚度为60纳米；

步骤三，在所述阳极层上均匀旋涂一层碱溶性抗反射涂层BARC，厚度为0.8微米，在所述抗反射涂层上均匀旋涂一层正性光刻胶，厚度为1.5微米，所述抗反射涂层和光刻胶层的厚度均匀性误差在百分之三以下；

步骤四，对所述光刻胶层和抗反射涂层进行前烘、曝光、显影、定影、后烘流程，被光照的区域溶解于显影液中，留下未被曝光的区域保护阳极像素图形；

步骤五，采用腐蚀溶液腐蚀底部未被所述光刻胶层和抗反射涂层保护的所述阳极层；

步骤六，在高压下用N-甲基吡咯烷酮溶液去除所述光刻胶层和抗反射涂层，形成阳极像素点；

步骤七，对所述硅基板进行清洗、烘干。

2.如权利要求1所述的湿法刻蚀制备硅基OLED阳极的方法，其特征在于：所述步骤五中所述腐蚀溶液为硝酸、盐酸、磷酸、硫酸、醋酸、氟化铵中的至少一种。

3.如权利要求1所述的湿法刻蚀制备硅基OLED阳极的方法，其特征在于：所述步骤五中腐蚀过程的温度为20至80摄氏度。

4.如权利要求1所述的湿法刻蚀制备硅基OLED阳极的方法，其特征在于：所述步骤五中腐蚀的速率为8至200埃每秒。