[发明专利]一种晶棒的加工方法及晶片

说明书

本公开提供一种晶棒的加工方法及晶片，该方法包括：检测晶棒原始晶向；将除晶棒的头部和尾部之外的棒体部分在轴向方向上分为至少两个子区域，确定不同子区域的预设晶向，相邻两个子区域的预设晶向不同；在每个子区域的两端边界线处预开槽，形成围绕晶棒外周设置的多个预开凹槽；针对任一子区域，根据当前子区域的预设晶向，旋转晶棒旋转至预定角度，控制刀头下降至当前子区域一侧边界线处的预开凹槽内，沿晶棒的轴向方向向另一侧边界线处的预开凹槽移动刀头，形成当前子区域的开槽；重复上述步骤，依次形成各子区域上的开槽；沿预开凹槽沿晶棒切割晶棒，以使各子区域切割后形成为单独硅块。本公开晶棒的加工方法及晶片，能够提升效率及设备产能。

技术领域

本发明涉及半导体晶圆技术领域，尤其涉及一种晶棒的加工方法及晶片。

背景技术

在单晶硅晶片的加工过程中，晶棒在切片前，会通过X-Ray(X射线)衍射等来确定结晶方向，然后会对晶棒开Notch槽，晶片Notch槽是指，有意在硅片周边上加工成具有规定形状和尺寸的V槽，这种V槽在后续制程、以及以后IC制造、加工和搬运设备中起定位作用。Notch槽依据不同的客户要求，需要沿着不同的晶向进行开槽，例如，开槽晶向有1,0,0和1,1,0两种。

针对客户不同Notch开槽晶向的要求，常用的方法是：先将一整根晶棒通过BandSaw(带锯)切成若干个硅块(Block)，然后在对每个Block分别进行单一晶向的开槽，这样操作比较麻烦，花费时间和人力较多。

发明内容

本公开实施例提供了一种晶棒的加工方法及晶片，能够提升效率，有效提升设备产能。

本公开实施例所提供的技术方案如下：

一方面，本公开实施例提供了一种晶棒的加工方法，包括如下步骤：

检测晶棒的原始晶向；

将晶棒除所述晶棒的头部和尾部之外的棒体部分在轴向方向上分为至少两个子区域，根据所述原始晶向，确定不同子区域的预设晶向，相邻两个子区域的所述预设晶向不同；

在每个所述子区域的两端边界线处进行预开槽，以形成围绕所述晶棒外周设置的多个预开凹槽；

针对任一所述子区域，根据当前子区域的预设晶向，旋转所述晶棒旋转至预定角度，控制刀头下降至当前子区域一侧边界线处的预开凹槽内，并沿所述晶棒的轴向方向向另一侧边界线处的预开凹槽移动所述刀头，以形成当前子区域的开槽；

重复上述步骤，依次形成各子区域上的开槽；

各子区域的开槽完成后，沿所述预开凹槽沿所述晶棒的径向切割所述晶棒，以使各所述子区域切割后形成为单独硅块。

示例性的，所述方法中，从靠近所述晶棒的头部端或尾部端中其中一端的第一子区域开始，至靠近所述晶棒的头部端或尾部端中另一端的第n子区域，依次完成各子区域上的开槽。

示例性的，在所述每个所述子区域的两端边界线处进行预开槽之前，所述方法还包括：

对所述晶棒外径进行研磨。

示例性的，所述方法中，采用砂轮对所述晶棒外径进行研磨，并在研磨完成后，通过调整所述砂轮的位置，旋转所述晶棒，利用所述砂轮在所述晶棒上形成所述预开凹槽。

示例性的，在各所述子区域切割后形成为单独硅块之后，所述方法还包括：

利用线切割方式，将各所述硅块切割为晶片，其中各所述硅块上的预开凹槽所对应位置处形成的晶片，作为测试片。

示例性的，所述开槽的深度为1±0.05mm。

示例性的，所述开槽包括V型槽。

示例性的，所述检测晶棒的原始晶向，具体包括：利用X射线检测方法检测晶棒的原始晶向。