[发明专利]一种晶棒的加工方法及晶片

权利要求书

1.一种晶棒的加工方法，其特征在于，包括如下步骤：

检测晶棒的原始晶向；

将晶棒除所述晶棒的头部和尾部之外的棒体部分在轴向方向上分为至少两个子区域，根据所述原始晶向，确定不同子区域的预设晶向，相邻两个子区域的所述预设晶向不同；

在每个所述子区域的两端边界线处进行预开槽，以形成围绕所述晶棒外周设置的多个预开凹槽；

针对任一所述子区域，根据当前子区域的预设晶向，旋转所述晶棒旋转至预定角度，控制刀头下降至当前子区域一侧边界线处的预开凹槽内，并沿所述晶棒的轴向方向向另一侧边界线处的预开凹槽移动所述刀头，以形成当前子区域的开槽；

重复上述步骤，依次形成各子区域上的开槽；

各子区域的开槽完成后，沿所述预开凹槽沿所述晶棒的径向切割所述晶棒，以使各所述子区域切割后形成为单独硅块。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述方法中，从靠近所述晶棒的头部端或尾部端中其中一端的第一子区域开始，至靠近所述晶棒的头部端或尾部端中另一端的第n子区域，依次完成各子区域上的开槽。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

在所述每个所述子区域的两端边界线处进行预开槽之前，所述方法还包括：

对所述晶棒外径进行研磨。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，

所述方法中，采用砂轮对所述晶棒外径进行研磨，并在研磨完成后，通过调整所述砂轮的位置，旋转所述晶棒，利用所述砂轮在所述晶棒上形成所述预开凹槽。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

在各所述子区域切割后形成为单独硅块之后，所述方法还包括：

利用线切割方式，将各所述硅块切割为晶片，其中各所述硅块上的预开凹槽所对应位置处形成的晶片，作为测试片。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述开槽的深度为1±0.05mm。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述开槽包括V型槽。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述检测晶棒的原始晶向，具体包括：利用X射线检测方法检测晶棒的原始晶向。

9.一种晶片，其特征在于，利用如权利要求1至8任一项所述的晶棒的加工方法制备而成。