[发明专利]半导体器件及其制备方法

说明书

该发明涉及一种半导体器件及其制备方法，用于制备存储器器件，包括以下步骤：提供衬底；在所述衬底表面挖设标记槽，所述标记槽深入至所述衬底内部；在所述标记槽内形成填充材料层，从而形成零层标记，且进行化学机械研磨时使用的研磨液对所述填充材料层的刻蚀速率低于预设值；在所述衬底表面形成堆叠结构，所述堆叠结构用于形成底栅，所述堆叠结构覆盖所述零层标记；在所述堆叠结构表面挖设隔离槽，所述隔离槽用于隔断将要在所述堆叠结构上形成的相邻两底栅。

技术领域

本发明涉及芯片生产领域，具体涉及一种半导体器件及其制备方法。

背景技术

在制备存储器器件的过程中，通常会在底层衬底上形成一个用于标记位置的零层标记，用于作为后续形成在该底层衬底上形成的各种器件层的位置参考标准。所述零层标记由形成在底层衬底的标记槽和填充物构成，且所述标记槽内的填充物的光学参数已知，这样，可以通过光线的折射、反射等来确定一些器件层相对于所述底层衬底的对齐情况。

目前，在形成存储器器件的过程中，经常会发生零层标记的毁损，这直接影响了器件层与零层标记对齐时的成功率，最终也会影响到存储器器件的制备良率。

发明内容

本发明的目的在于提供一种半导体器件及其制备方法，能够降低零层标记在形成存储器器件的过程中发生毁损的几率，从而间接提升所述存储器器件的制备良率。

为了解决上述技术问题，以下提供了一种半导体器件的制备方法，用于制备存储器器件，包括以下步骤：提供衬底；在所述衬底表面挖设标记槽，所述标记槽深入至所述衬底内部；在所述标记槽内形成填充材料层，从而形成零层标记，且进行化学机械研磨时使用的研磨液对所述填充材料层的刻蚀速率低于预设值；在所述衬底表面形成堆叠结构，所述堆叠结构用于形成底栅，所述堆叠结构覆盖所述零层标记；在所述堆叠结构表面挖设隔离槽，所述隔离槽用于隔断将要在所述堆叠结构上形成的相邻两底栅。

可选的，所述堆叠结构包括从所述衬底上表面向上依次设置的第一氧化物层和第一氮化物层。

可选的，形成所述第一氧化物层时，采用硅热氧化工艺形成所述第一氧化物层。

可选的，所述标记槽具有倒梯形轮廓，下底面深入至所述衬底表面至少一预设深度。

可选的，还包括以下步骤：在所述隔离槽内填充氧化物。

可选的，在所述堆叠结构表面挖设隔离槽后，还包括以下步骤：对所述堆叠结构上表面进行化学机械研磨，使所述堆叠结构上表面平整。

可选的，在对所述堆叠结构上表面进行化学机械研磨前，还包括以下步骤：在所述堆叠结构上表面形成缓冲结构，用于供化学机械研磨时的找平。

可选的，所述缓冲结构包括：第二氧化物层，形成于所述堆叠结构上表面。

可选的，所述填充材料层包括氧化硅层，在形成所述填充材料层时，包括以下步骤：在所述标记槽内沉积氧化硅层，直至所述氧化硅层覆盖至所述衬底上表面；研磨所述氧化硅层，直至所述衬底上表面外露。

为了解决上述问题，以下还提供了一种半导体器件，包括：衬底；标记槽，形成于所述衬底上表面，并深入至所述衬底内；填充材料层，形成于所述标记槽内，用于形成零层标记。

进一步，所述标记槽具有倒梯形轮廓，并深入至所述衬底表面至少一预设深度。

进一步，所述填充材料层为氧化物层。

进一步，所述填充材料层的上表面与所述衬底的上表面平齐。

为了解决上述问题，以下还提供了一种用于形成存储器的半导体器件，包括所述半导体器件，还包括：堆叠结构，形成于所述衬底表面，用于形成底栅，所述堆叠结构覆盖所述填充材料层的上表面；隔离槽，形成于所述堆叠结构表面，并暴露所述衬底上表面，用于隔断相邻两底栅。