[发明专利]半导体器件及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供衬底；

在所述衬底表面挖设标记槽，所述标记槽深入至所述衬底内部；

在所述标记槽内形成填充材料层，从而形成零层标记；

在所述衬底表面形成堆叠结构，所述堆叠结构用于形成底栅，所述堆叠结构覆盖所述零层标记；

在所述堆叠结构表面挖设隔离槽，所述隔离槽用于隔断将要在所述堆叠结构上形成的相邻两底栅。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述堆叠结构包括从所述衬底上表面向上依次设置的第一氧化物层和第一氮化物层。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，形成所述第一氧化物层时，采用硅热氧化工艺形成所述第一氧化物层。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述标记槽具有倒梯形轮廓，并深入至所述衬底表面至少一预设深度。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，还包括以下步骤：

在所述隔离槽内填充氧化物。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述堆叠结构表面挖设隔离槽后，还包括以下步骤：

对所述堆叠结构上表面进行化学机械研磨，使所述堆叠结构上表面平整。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在对所述堆叠结构上表面进行化学机械研磨前，还包括以下步骤：

在所述堆叠结构上表面形成缓冲结构，用于供化学机械研磨时的找平。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述缓冲结构包括：

第二氧化物层，形成于所述堆叠结构上表面。

9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述填充材料层包括氧化硅层，在形成所述填充材料层时，包括以下步骤：

在所述标记槽内沉积氧化硅层，直至所述氧化硅层覆盖至所述衬底上表面；

研磨所述氧化硅层，直至所述衬底上表面外露。

10.一种半导体器件，其特征在于，包括：

衬底；

标记槽，形成于所述衬底上表面，并深入至所述衬底内；

填充材料层，形成于所述标记槽内，用于形成零层标记。

11.根据权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，所述标记槽具有倒梯形轮廓，并深入至所述衬底表面至少一预设深度。

12.根据权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，所述填充材料层为氧化物层。

13.根据权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，所述填充材料层的上表面与所述衬底的上表面平齐。

14.一种用于形成存储器的半导体器件，其特征在于，包括如权利要求10所述的半导体器件，还包括：

堆叠结构，形成于所述衬底表面，用于形成底栅，所述堆叠结构覆盖所述填充材料层的上表面；

隔离槽，形成于所述堆叠结构表面，并暴露所述衬底上表面，用于隔断相邻两底栅。

15.根据权利要求14所述的用于形成存储器的半导体器件，其特征在于，所述堆叠结构包括从所述衬底上表面向上依次设置的第一氧化物层和第一氮化物层。

16.根据权利要求14所述的用于形成存储器的半导体器件，其特征在于，在所述堆叠结构上表面形成有缓冲结构，所述缓冲结构覆盖所述堆叠结构上表面且填充所述隔离槽，所述缓冲结构用于供化学机械研磨时的找平。

17.根据权利要求16所述的用于形成存储器的半导体器件，其特征在于，所述缓冲结构为一层或者多层。