[发明专利]一种鳍式场效应晶体管中参数化单元及其实现方法

说明书

本发明提供了一种鳍式场效应晶体管中参数化单元及其实现方法，包括：提供参数化单元，所述参数化单元包括多个第一结构和多个第二结构，所述第一结构和所述第二结构为重复的结构，所述第一结构和所述第二结构的功能不同；改变所述第一结构和/或所述第二结构的图层设定，使所述第一结构的功能与所述第二结构的功能相同，和/或，使所述第二结构的功能与所述第一结构的功能相同，使所述第一结构和/或所述第二结构与其他结构形成所需的器件，从而可以实现器件的特性和器件的面积的平衡，即在最少面积的浪费下，得到最佳的器件特性。

技术领域

本发明涉及半导体集成电路制造技术领域，更具体地说，涉及一种参数化单元及其实现方法。

背景技术

随着工艺的发展，鳍式场效应晶体管以及多图案技术(Multiple PatterningTechnology，MPT)的导入已经成为二十奈米以下的主流工艺技术。这些主流技术虽然让摩尔定律得以延续，但同时也提高了工艺的复杂度，让晶圆代工厂不得不将更严格地规范设计规则即限制性设计规则(Restrictive Design Rule，RDR)定义在设计规则手册里。

传统的参数化单元按照设计规则手册设计，可以在最少面积的浪费下，得到最佳的器件特性。但是，限制性设计规则的加入，反应在版图设计上，会导致参数化单元内具有越来越多的重复的结构。虽然这些重复的结构的数量越多，器件的特性越佳，但是，也会带来浪费更多面积的缺点。基于此，如何平衡器件的特性和器件的面积是本领域技术人员亟待解决的问题之一。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种参数化单元及其实现方法，以对参数化单元内重复的结构进行调整，在最少面积的浪费下，得到最佳的器件特性。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种参数化单元的实现方法，包括：

提供参数化单元，所述参数化单元包括多个第一结构和多个第二结构，所述第一结构和所述第二结构为重复的结构，所述第一结构和所述第二结构的功能不同；

改变所述第一结构和/或所述第二结构的图层设定，使所述第一结构的功能与所述第二结构的功能相同，和/或，使所述第二结构的功能与所述第一结构的功能相同；

使所述第一结构和/或所述第二结构与其他结构形成所需的器件。

可选地，所述参数化单元包括第一器件，所述第一器件包括多个第一结构和多个第二结构；则改变所述第一结构和/或所述第二结构的图层设定包括：

改变相邻两个第一结构的图层设定，使所述相邻两个第一结构的功能与所述第二结构的功能相同；

使所述第一结构和/或所述第二结构与其他结构形成所需的器件包括：

切断所述相邻两个第一结构之间的连接结构，使所述相邻两个第一结构中一个第一结构与其他结构形成所需的第二器件，使所述相邻两个第一结构中另一个第一结构与其他结构形成所需的第三器件。

可选地，所述参数化单元包括第一器件和第二器件，所述第一器件和所述第二器件均包括多个第一结构和多个第二结构；

则改变所述第一结构和/或所述第二结构的图层设定包括：

改变所述第一器件中部分第二结构的图层设定，使所述第一器件中部分第二结构的功能与所述第二器件中第一结构的功能相同；

改变所述第二器件中的部分第二结构的图层设定，使所述第二器件中部分第二结构的功能与所述第一器件中第一结构的功能相同；

使所述第一结构和/或所述第二结构与其他结构形成所需的器件包括：