[发明专利]一种鳍式场效应晶体管中参数化单元及其实现方法

权利要求书

1.一种鳍式场效应晶体管中参数化单元的实现方法，其特征在于，包括：

提供参数化单元，所述参数化单元包括多个第一结构和多个第二结构，所述第一结构和所述第二结构为重复的结构，所述第一结构和所述第二结构的功能不同；

改变所述第一结构和/或所述第二结构的图层设定，使所述第一结构的功能与所述第二结构的功能相同；

使所述第一结构和/或所述第二结构与其他结构形成所需的器件；

其中，所述参数化单元包括第一器件，所述第一器件包括多个第一结构和多个第二结构；则改变所述第一结构和/或所述第二结构的图层设定包括：

改变相邻两个第一结构的图层设定，使所述相邻两个第一结构的功能与所述第二结构的功能相同；

使所述第一结构和/或所述第二结构与其他结构形成所需的器件包括：

切断所述相邻两个第一结构之间的连接结构，使所述相邻两个第一结构中一个第一结构与其他结构形成所需的第二器件，使所述相邻两个第一结构中另一个第一结构与其他结构形成所需的第三器件。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一结构包括鳍式场效应晶体管的栅极，所述第二结构包括鳍式场效应晶体管的虚拟栅极，所述连接结构包括鳍式结构。

3.一种鳍式场效应晶体管中参数化单元的实现方法，其特征在于，包括：

提供参数化单元，所述参数化单元包括多个第一结构和多个第二结构，所述第一结构和所述第二结构为重复的结构，所述第一结构和所述第二结构的功能不同；

改变所述第一结构和/或所述第二结构的图层设定，使所述第一结构的功能与所述第二结构的功能相同；

使所述第一结构和/或所述第二结构与其他结构形成所需的器件；

其中，所述参数化单元包括第一器件和第二器件，所述第一器件和所述第二器件均包括多个第一结构和多个第二结构；

则改变所述第一结构和/或所述第二结构的图层设定包括：

改变所述第一器件中部分第二结构的图层设定，使所述第一器件中部分第二结构的功能与所述第二器件中第一结构的功能相同；

改变所述第二器件中的部分第二结构的图层设定，使所述第二器件中部分第二结构的功能与所述第一器件中第一结构的功能相同；

使所述第一结构和/或所述第二结构与其他结构形成所需的器件包括：

将所述第一器件中部分第二结构与所述第二器件的第一结构合并，将所述第二器件中的部分第二结构与所述第一器件中的第一结构合并，使所述第一器件和所述第二器件形成所需的第三器件。

4.一种鳍式场效应晶体管中参数化单元的实现方法，其特征在于，包括：

提供参数化单元，所述参数化单元包括多个第一结构和多个第二结构，所述第一结构和所述第二结构为重复的结构，所述第一结构和所述第二结构的功能不同；

改变所述第一结构和/或所述第二结构的图层设定，使所述第一结构的功能与所述第二结构的功能相同；

使所述第一结构和/或所述第二结构与其他结构形成所需的器件；

其中，所述参数化单元包括第一器件和第二器件，所述第一器件和所述第二器件均包括多个第一结构和多个第二结构；

则改变所述第一结构和/或所述第二结构的图层设定包括：

改变所述第一器件中部分第二结构的图层设定，使所述第一器件中部分第二结构的功能与所述第二器件中第一结构的功能相同；

改变所述第二器件中部分第二结构的图层设定，使所述第二器件中部分第二结构的功能与所述第一器件中第一结构的功能相同；

使所述第一结构和/或所述第二结构与其他结构形成所需的器件包括：

在所述第一器件中部分第二结构之间形成连接结构，在所述第二器件中部分第二结构之间形成连接结构，在所述第一器件中部分第二结构与所述第二器件中部分第二结构之间形成连接结构，使所述第一器件和所述第二器件形成所需的第三器件。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，形成连接结构包括：

通过设计参数化单元形成连接结构；

或者，通过版图工具形成连接结构。