[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示面板在审
| 申请号: | 202011469886.6 | 申请日: | 2020-12-14 |
| 公开(公告)号: | CN112599539A | 公开(公告)日: | 2021-04-02 |
| 发明(设计)人: | 张启沛;李世泽 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32;H01L21/84 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 李新干 |
| 地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 阵列 及其 制作方法 显示 面板 | ||
本申请公开了一种阵列基板及其制作方法、显示面板,所述阵列基板在所述非显示区包括层间介电层、第一平坦层、第一金属走线、第二金属走线和第三金属走线,其中所述第一金属走线和所述第二金属走线设置于所述衬底基板和所述层间介电层之间并位于不同的绝缘层上,所述第三金属走线设置于所述第一平坦层上;本申请所述阵列基板及其制作方法、显示面板能避免由于第三金属走线表面凹凸不平导致的显示区边缘显示异色的不良问题。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板及其制作方法、显示面板。
背景技术
全面屏是OLED显示技术开发的目标之一。而窄边框技术可明显提升显示器屏占比,提高用户的的使用体验。然而,在窄边框技术中,压缩屏幕边框会使显示区周围膜层结构和形貌复杂。
图1为图1中阵列基板的非显示区截面图。如图1所示,所述阵列基板100在所述非显示区包括衬底基板110、设置于所述衬底基板110上的多层绝缘层和设置于所述多层绝缘层的多条金属走线(131、132、133),其中多条金属走线包括与薄膜晶体管的第一栅极、第二栅极以及源漏极分别同层的第一栅极层走线131、第二栅极层走线132和源漏极层走线133。
如图1所示,由于第一栅极层走线131与第二栅极层走线132密集分布,使源漏极层走线133出现表面不平现象,入射光线在源漏极走线133表面产生光栅反射现象,导致偏光片不能有效阻挡反射光线,使得非显示区靠近显示区边缘产生白线等显示异色的不良。特别地,在盖板(Cover Window)油墨未覆盖的漏光区域,更容易产生白线等异色的显示不良。
因此,亟需提供一种阵列基板及其制作方法、显示面板,以解决上述问题。
发明内容
为了解决上述技术问题,本申请提供一种阵列基板及其制作方法、显示面板,所述阵列基板通过在层间介电层上增设第一平坦层,使第三金属走线表面平坦化,从而能避免第三金属走线由于表面凹凸不平导致的显示区边缘显示异色的不良问题。
为了实现上述目的,本申请所述阵列基板及其制作方法、显示面板采取了以下技术方案。
本申请提供一种阵列基板,包括一衬底基板,所述衬底基板划分有显示区和非显示区,所述阵列基板在所述非显示区包括:多层绝缘层,所述多层绝缘层包括依次层叠于所述衬底基板上的层间介电层和第一平坦层;以及,多条金属走线,所述多条金属走线包括第一金属走线、第二金属走线和第三金属走线,其中所述第一金属走线和所述第二金属走线设置于所述衬底基板和所述层间介电层之间并位于不同的绝缘层上,所述第三金属走线设置于所述第一平坦层上。
进一步,所述第二金属走线和所述第一金属走线在平行于所述衬底基板的平面上交替分布。
进一步,在平行于所述衬底基板的平面,相邻的所述第二金属走线和所述第一金属走线在平行于所述衬底基板的平面上间隔设置。
进一步,所述阵列基板在所述非显示区内还具有至少一第一过孔,所述第一过孔由所述第一平坦层朝向所述衬底基板的方向延伸至所述第二金属走线或所述第一金属走线并暴露出所述第二金属走线或所述第一金属走线;所述第三金属走线通过所述第一过孔电性连接于所述第二金属走线或所述第一金属走线。
进一步,所述阵列基板还包括一第二平坦层,所述第二平坦层设置于所述第三金属走线上并覆盖所述第三金属走线和所述第一平坦层;所述第一平坦层的厚度小于所述第二平坦层的厚度。
进一步,所述显示基板在所述显示区设有至少一薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括第一栅极、第二栅极、源极和漏极,其中:所述源极和所述漏极设置于所述第一平坦层上;所述第二栅极与所述第二金属走线设置于同一层所述绝缘层上,所述层间介电层覆盖所述第二栅极;所述第一栅极与所述第一金属走线设置于同一层所述绝缘层上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





