[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示面板在审
| 申请号: | 202011469886.6 | 申请日: | 2020-12-14 | 
| 公开(公告)号: | CN112599539A | 公开(公告)日: | 2021-04-02 | 
| 发明(设计)人: | 张启沛;李世泽 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32;H01L21/84 | 
| 代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 李新干 | 
| 地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 阵列 及其 制作方法 显示 面板 | ||
1.一种阵列基板,包括一衬底基板,所述衬底基板划分有显示区和非显示区,其特征在于,所述阵列基板在所述非显示区包括:
多层绝缘层,所述多层绝缘层包括依次层叠于所述衬底基板上的层间介电层和第一平坦层;以及,
多条金属走线,所述多条金属走线包括第一金属走线、第二金属走线和第三金属走线,其中所述第一金属走线和所述第二金属走线设置于所述衬底基板和所述层间介电层之间并位于不同的绝缘层上,所述第三金属走线设置于所述第一平坦层上。
2.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第二金属走线和所述第一金属走线在平行于所述衬底基板的平面上交替分布。
3.如权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,在一平行于所述衬底基板的平面,相邻的所述第二金属走线和所述第一金属走线在平行于所述衬底基板的平面上间隔设置。
4.如权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板在所述非显示区内还具有至少一第一过孔,所述第一过孔由所述第一平坦层朝向所述衬底基板的方向延伸至所述第二金属走线或所述第一金属走线并暴露出所述第二金属走线或所述第一金属走线;
所述第三金属走线通过所述第一过孔电性连接于所述第二金属走线或所述第一金属走线。
5.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括一第二平坦层,所述第二平坦层设置于所述第三金属走线上并覆盖所述第三金属走线和所述第一平坦层;
所述第一平坦层的厚度小于所述第二平坦层的厚度。
6.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所所述第一平坦层为一光阻材料层。
7.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述显示基板在所述显示区设有至少一薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括第一栅极、第二栅极、源极和漏极,其中:
所述源极和所述漏极设置于所述第一平坦层上;
所述第二栅极与所述第二金属走线设置于同一层所述绝缘层上,所述层间介电层覆盖所述第二栅极;
所述第一栅极与所述第一金属走线设置于同一层所述绝缘层上。
8.如权利要求7所述的阵列基板,其特征在于,所述多层绝缘层还包括第一栅极绝缘层和第二栅极绝缘层,其中:
所述第一栅极绝缘层覆盖于所述衬底基板上,所述第一栅极和所述第一金属走线设置于所述第一栅极绝缘层上;
所述第二栅极绝缘层覆盖所述第一栅极、所述第一金属走线和所述第一栅极绝缘层上,所述第二栅极和所述第二金属走线设置于所述第二栅极绝缘层上。
9.一种阵列基板的制作方法,其特征在于,所述制作方法包括:
提供一衬底基板,所述衬底基板具有显示区和非显示区;
在所述衬底基板的非显示区依次制备第一栅极绝缘层、第一金属走线、第二栅极绝缘层、第二金属走线和层间介电层;
在所述层间介电层上制备第一平坦层的步骤;以及,
在所述第一平坦层上制备第三金属走线的步骤。
10.如权利要求9所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,所述阵列基板设有至少贯穿所述第一平坦层和所述层间介电层的过孔,则所述制作方法还包括:
将所述第一平坦层作为光阻层对所述阵列基板进行图案化处理,以获得所述过孔的步骤。
11.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括权利要求1-8中任一项所述的阵列基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





