[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

衬底；

鳍部，位于所述衬底上，所述鳍部包括底部鳍部层、以及位于所述底部鳍部层顶部的沟道层，所述底部鳍部层和所述衬底为一体结构；

阱区，位于所述衬底和底部鳍部层内。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述鳍部还包括：缓冲层，位于所述底部鳍部层和所述沟道层之间，所述缓冲层的材料为本征半导体材料。

3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述衬底包括用于形成第一型晶体管的第一区域、以及用于形成第二型晶体管的第二区域，所述第一型晶体管和第二型晶体管的沟道材料不同；

所述沟道层包括：第一沟道层，位于所述第一区域的底部鳍部层顶部；第二沟道层，位于所述第二区域的底部鳍部层顶部，所述第二沟道层和所述第一沟道层的材料不同。

4.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述第一型晶体管和第二型晶体管的沟道导电类型不同。

5.如权利要求1或2所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：隔离层，位于所述鳍部露出的衬底上，所述隔离层覆盖所述鳍部的部分侧壁，且所述隔离层的顶部与所述沟道层的底部相齐平或者高于所述沟道层的底部。

6.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述缓冲层的材料包括硅、锗、碳化硅或砷化铟。

7.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述缓冲层的厚度至少为

8.如权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述缓冲层的厚度为至

9.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述沟道层的材料包括硅、锗化硅、锗或Ⅲ-Ⅴ族半导体材料。

10.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述鳍部具有预设高度；

所述沟道层的厚度为所述预设高度的1/5至1/3。

11.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底内形成阱区；

形成所述阱区后，在所述衬底上形成沟道层；

刻蚀所述沟道层以及部分厚度的衬底，形成凸出于剩余衬底的鳍部。

12.如权利要求11所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述衬底内形成阱区后，在所述衬底上形成沟道层之前，所述形成方法还包括：在所述衬底表面形成缓冲层，所述缓冲层的材料为本征半导体材料；

在所述缓冲层表面形成所述沟道层；

形成所述鳍部的步骤中，还刻蚀所述缓冲层。

13.如权利要求11所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述衬底包括用于形成第一型晶体管的第一区域、以及用于形成第二型晶体管的第二区域，所述第一型晶体管和第二型晶体管的沟道材料不同；

在所述衬底上形成沟道层的步骤包括：在所述第一区域的所述衬底上形成第一沟道层，在所述第二区域的所述衬底上形成第二沟道层，所述第二沟道层和所述第一沟道层的材料不同；

刻蚀所述沟道层的步骤中，刻蚀所述第一沟道层和第二沟道层。

14.如权利要求13所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述衬底上形成沟道层之前，所述形成方法还包括：在所述衬底表面形成缓冲层，所述缓冲层的材料为本征半导体材料；

在形成所述第一沟道层之后，形成所述第二沟道层，且在同一反应腔室中，依次形成所述缓冲层、以及位于所述缓冲层表面的所述第一沟道层；

或者，

在形成所述第二沟道层之后，形成所述第一沟道层，且在同一反应腔室中，依次形成所述缓冲层、以及位于所述缓冲层表面的所述第二沟道层。