[发明专利]基于色散共轭聚焦测量方法的半导体打标深度检测仪

说明书

本发明公开了基于色散共轭聚焦测量方法的半导体打标深度检测仪，包括色散共轭聚焦测量探头和高精度滑台，所述色散共轭聚焦测量探头在高精度滑台上方位置，所述高精度滑台上表面固定安装被测硅片载台，所述被测硅片载台上表面固定安装若干被测硅片定位销，所述被测硅片定位销内部放置有硅片，所述硅片上有硅片打标码，所述色散共轭聚焦测量探头、高精度滑台受控于人机界面，通过色散共轭聚焦测量探头进行检测，精度可以达到1nm，可以实现对激光打标码的精确控制，有利于控制硅片打标码的刻痕的深度在清晰度和对硅片机械强度影响最小之间平衡，避免打标深度太浅，产生人工读取还是机械读取都会遇到困难，影响产品品质。

技术领域

本发明涉及半导体行业抛光片生产技术领域，具体为基于色散共轭聚焦测量方法的半导体打标深度检测仪。

背景技术

在半导体生产领域，硅片上ID打标对于产品管控，质量追溯有着至关重要的作用，这一点在当代工业领域基本是互通的。由于半导体行业的特殊性，硅片上只能采用激光打标，也即激光刻字的方式进行标识。打标的字体高度受产品特性的限制，通常都要考虑尽可能少的占用硅片表面面积。打标的深度也是在权衡“能清晰读取”和“尽可能减少对硅片的应力影响”之间进行平衡。所以打标深度的控制是一个非常关键的指标，打标深度太浅，后续无论人工读取还是机械读取都会遇到困难，影响产品品质。打标太深，硅片的应力强度被破坏，可能会出现翘曲，平整度的问题，同时，深度太深的话，打标的微小坑孔中的微小尘埃在清洗的过程中很难清洗干净，这也是硅片品质的一个重要危害。

为此我们提出基于色散共轭聚焦测量方法的半导体打标深度检测仪用于解决上述问题。

发明内容

本发明的目的在于提供基于色散共轭聚焦测量方法的半导体打标深度检测仪，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：基于色散共轭聚焦测量方法的半导体打标深度检测仪，包括色散共轭聚焦测量探头和高精度滑台，所述色散共轭聚焦测量探头在高精度滑台上方位置，所述高精度滑台上表面固定安装被测硅片载台，所述被测硅片载台上表面固定安装若干被测硅片定位销，所述被测硅片定位销内部放置有硅片，所述硅片上有硅片打标码。

优选的，所述色散共轭聚焦测量探头、高精度滑台受控于人机界面。

优选的，所述色散共轭聚焦测量探头，可以实现对激光打标深度检测精度1nm。

优选的，所述色散共轭聚焦测量探头共有三台，或者一台色散共轭聚焦测量探头可拆卸式安装三个位置。

优选的，所述被测硅片定位销由洁净四氟乙烯制成。

优选的，所述高精度滑台能够单一维度的直线运动。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：通过色散共轭聚焦测量探头进行检测，精度可以达到1nm，可以实现对激光打标码的精确控制，有利于控制硅片打标码的刻痕的深度在清晰度和对硅片机械强度影响最小之间平衡，避免打标深度太浅，产生人工读取还是机械读取都会遇到困难，影响产品品质，打标太深，硅片的应力强度被破坏，可能会出现翘曲，平整度的问题，打标深度太深，打标的微小坑孔中的微小尘埃在清洗的过程中很难清洗干净的问题，从而对激光打标深度这一个质量指标进行量化测量，对打标机的输出功率实现闭环控制的目的。降低了质量成本。

附图说明

图1为本发明结构示意图；

图2为本发明侧视示意图。

图中：1、色散共轭聚焦测量探头；2、被测硅片载台；3、被测硅片定位销；4、高精度滑台；5、硅片打标码；6、硅片；7、人机界面。

具体实施方式