[发明专利]基于色散共轭聚焦测量方法的半导体打标深度检测仪

权利要求书

1.基于色散共轭聚焦测量方法的半导体打标深度检测仪，包括色散共轭聚焦测量探头(1)和高精度滑台(4)，其特征在于：所述色散共轭聚焦测量探头(1)在高精度滑台(4)上方位置，所述高精度滑台(4)上表面固定安装被测硅片载台(2)，所述被测硅片载台(2)上表面固定安装若干被测硅片定位销(3)，所述被测硅片定位销(3)内部放置有硅片(6)，所述硅片(6)上有硅片打标码(5)。

2.根据权利要求1所述的基于色散共轭聚焦测量方法的半导体打标深度检测仪，其特征在于：所述色散共轭聚焦测量探头(1)、高精度滑台(4)受控于人机界面(7)。

3.根据权利要求1所述的基于色散共轭聚焦测量方法的半导体打标深度检测仪，其特征在于：所述色散共轭聚焦测量探头(1)，可以实现对激光打标深度检测精度1nm。

4.根据权利要求1所述的基于色散共轭聚焦测量方法的半导体打标深度检测仪，其特征在于：所述色散共轭聚焦测量探头(1)共有三台，或者一台色散共轭聚焦测量探头(1)可拆卸式安装三个位置。

5.根据权利要求1所述的基于色散共轭聚焦测量方法的半导体打标深度检测仪，其特征在于：所述被测硅片定位销(3)由洁净四氟乙烯制成。

6.根据权利要求1所述的基于色散共轭聚焦测量方法的半导体打标深度检测仪，其特征在于：所述高精度滑台(4)能够单一维度的直线运动。