[发明专利]晶片加工用粘合片

说明书

本发明的课题在于提供能抑制剥离时的粘滑现象的晶片加工用粘合片。通过本申请，可提供包含构成粘合面的粘合剂层的晶片加工用粘合片。对于上述粘合片而言，使用将该粘合片的上述粘合面贴附于作为被粘物的硅晶片而制作的评价用样品，利用规定的方法测定的粘滑度[10^‑3N/10mm]为30以下。

技术领域

本发明涉及晶片加工用粘合片。

背景技术

在半导体装置的制造过程中，对具有电路形成面的晶片(典型的是半导体晶片)实施磨削、切割等加工的工序通常在向上述电路形成面侧贴附了粘合片的状态下进行。作为粘合片，通常可使用在基材的至少一面设置了粘合剂层的形态的粘合片。例如，在对半导体晶片的背面进行磨削(背面研磨)时，为了保护半导体晶片的电路形成面(正面)、以及保持半导体晶片，使用了背面研磨胶带(例如，专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2017-212441号公报

专利文献2：日本特开2014-003199号公报

发明内容

发明所要解决的课题

近年来，伴随着半导体装置的小型化、薄型化、高集成化，晶片的薄型化的需求提高。然而，在对薄型的晶片进行加工时，将会更容易导致晶片的损伤等。例如，若进行背面研磨直至晶片变得更薄，则容易由于将背面研磨胶带剥离时的负荷而导致晶片受损伤，可能发生成品率的下降、因谨慎地进行剥离操作而导致的生产率的下降等。尤其是，如专利文献2中记载的那样，对于以环状凸部的内侧成为凹部的方式进行了背面研磨的晶片(所谓的TAIKO(注册商标)晶片)而言，若吸附上述环状凸部而将晶片固定，则在上述凹部，成为背面未被支撑的状态，因此，特别容易发生背面研磨胶带剥离时的损伤。

作为将粘合片从作为被粘物的晶片剥离时晶片受损伤的重要原因之一，可举出粘合片的粘滑(stick slip)现象。所谓粘滑现象，是指：在将粘合片从被粘物剥离时，由于从被粘物表面(剥离面)发生的界面剥离、粘合剂内部的凝聚破坏等多种剥离模式组合地周期性地发生，因而使剥离断续地进行的现象。粘滑现象发生时，随着剥离的进行，剥离力大幅振动，因此，在剥离时向被粘物赋予的负担进一步变大，会成为被粘物的损伤的重要原因。

本发明是鉴于上述情况而作出的，目的在于提供通过抑制剥离时的粘滑现象、从而能减轻向被粘物赋予的负荷的晶片加工用粘合片。

用于解决课题的手段

根据本说明书，可提供包含构成粘合面的粘合剂层的晶片加工用粘合片。此处，对于上述粘合片而言，使用将上述粘合片的上述粘合面贴附于作为被粘物的硅晶片而制作的评价用样品，利用以下的方法A、方法B及方法C中的至少任一种方法，在剥离速度为300mm/分钟的条件下测定的粘滑度[10^-3N/10mm]为30以下。

(方法A)向上述评价用样品中的上述粘合片与上述被粘物的界面供给水性剥离液，然后，测定将上述粘合片从上述被粘物剥离时的粘滑度。

(方法B)从上述粘合片的与上述被粘物相反的面侧向上述评价用样品照射活性能量射线，然后，测定将上述粘合片从上述被粘物剥离时的粘滑度。

(方法C)从上述粘合片的与上述被粘物相反的面侧向上述评价用样品照射活性能量射线，并且，向上述粘合片与上述被粘物的界面供给水性剥离液，然后，测定将上述粘合片从上述被粘物剥离时的粘滑度。

对于上述晶片加工用粘合片而言，由于能抑制剥离时的粘滑现象，因此，能减轻剥离时的向被粘物赋予的负荷，能抑制被粘物的损伤。

本说明书中公开的技术的优选的一些方式中，上述粘合片的使用上述评价用样品、利用以下的方法E、方法F及方法G中的至少任一种方法测定的剥离力为0.10N/10mm以下。