[发明专利]半导体加工用粘合片

说明书

本发明的课题在于提供也适合于包含高温工艺的使用方式的半导体加工用粘合片。本发明的解决手段是提供包含构成粘合面的粘合剂层的半导体加工用粘合片。对于上述半导体加工用粘合片而言，在一个方式中，初始常规剥离力Fd₀为0.10N/20mm以上，并且，于150℃进行15分钟加热处理后的常规剥离力Fd_a为1.00N/20mm以下。

技术领域

本发明涉及半导体加工用粘合片。

背景技术

在半导体元件的制造过程中，对于对形成了电路的半导体晶片实施磨削、切割等加工的工序而言，为了实施上述半导体晶片的保护、固定，通常，在向该半导体晶片(被粘物)的电路形成面侧贴附了粘合片(半导体加工用粘合片)的状态下进行。例如，在对半导体晶片的背面进行磨削(背面研磨(backgrind))时，为了保护半导体晶片的电路形成面(正面)、以及保持(固定)半导体晶片，使用了背面研磨胶带(例如，专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2017-212441号公报

发明内容

发明所要解决的课题

对于背面研磨胶带及其他的半导体加工用粘合片而言，在发挥其使用目的后，在所期望的时机被从被粘物剥离。因此，对于半导体加工用粘合片，要求均衡性良好地同时实现加工时的相对于被粘物的密合性、接合可靠性、与从该被粘物剥离时的剥离性。然而，即使是在室温范围内均衡性良好地同时实现上述特性的半导体加工用粘合片，在向被粘物贴附后暴露于规定温度以上的高温状态时，剥离力也大幅上升，由此，可能产生在被粘物上的残胶、因剥离时的负荷而导致的被粘物的损伤。尤其是，近年来，伴随着半导体元件的小型化、薄型化、高集成化，存在背面研磨后的半导体晶片薄型化的倾向，期望即使在经过暴露于高温下的加工工艺(高温工艺)后也能在抑制针对被粘物的负荷的情况下进行剥离的半导体加工用粘合片。

本发明是鉴于上述情况而作出的，目的在于提供也适合于包含高温工艺的使用方式的半导体加工用粘合片。

用于解决课题的手段

本说明书中公开的半导体加工用粘合片包含构成粘合面的粘合剂层。上述半导体加工用粘合片(以下，有时简记为“粘合片”。)的一些方式中，该粘合片的初始常规剥离力Fd₀为0.10N/20mm以上(以下，也称为“条件A”。)，并且，于150℃进行15分钟加热处理后的常规剥离力Fd_a为1.00N/20mm以下(以下，也称为“条件B”。)。对于如上所述地限制了初始常规剥离力Fd₀的下限及150℃下、15分钟加热处理后的常规剥离力Fd_a(以下，也称为“150℃加热后常规剥离力”。)的上限的粘合片而言，即使在包含高温工艺的使用方式中，也能均衡性良好地同时实现加工时的相对于被粘物的密合性、接合可靠性与从该被粘物剥离时的剥离性。

本说明书中公开的半导体加工用粘合片的一些方式中，该粘合片满足上述条件A，并且，于150℃进行15分钟加热处理后、向上述粘合片的从被粘物剥离的剥离前沿供给水而测定的水剥离力Fw_a为0.30N/20mm以下(以下，也称为“条件C”。)。对于如上所述地限制了初始常规剥离力Fd₀的下限及150℃下、15分钟加热处理后的水剥离力Fw_a(以下，也称为“150℃加热后水剥离力”。)的上限的粘合片而言，即使在包含高温工艺的使用方式中，也能均衡性良好地同时实现加工时的相对于被粘物的密合性、接合可靠性与从该被粘物剥离时的剥离性。通过利用水剥离法进行上述从被粘物的剥离，能进一步减轻针对被粘物的负荷。