[发明专利]半导体加工用粘合片在审
| 申请号： | 202011461200.9 | 申请日： | 2020-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN113061401A | 公开（公告）日： | 2021-07-02 |
| 发明（设计）人： | 河野广希;小坂尚史;龟井胜利 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | C09J7/25 | 分类号： | C09J7/25;C09J7/30;C09J133/08 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 唐峥 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 工用 粘合 | ||
1.半导体加工用粘合片，其是包含构成粘合面的粘合剂层的半导体加工用粘合片，
所述半导体加工用粘合片的初始常规剥离力Fd0为0.10N/20mm以上，并且，
于150℃进行15分钟加热处理后的常规剥离力Fda为1.00N/20mm以下。
2.半导体加工用粘合片，其是包含构成粘合面的粘合剂层的半导体加工用粘合片，
所述半导体加工用粘合片的初始常规剥离力Fd0为0.10N/20mm以上，并且，
水剥离力Fwa为0.30N/20mm以下，所述水剥离力Fwa是于150℃进行15分钟加热处理后、向所述粘合片的从被粘物剥离的剥离前沿供给水从而测定的。
3.半导体加工用粘合片，其是包含构成粘合面的粘合剂层的半导体加工用粘合片，
所述半导体加工用粘合片的初始常规剥离力Fd0为0.10N/20mm以上，并且，
于200℃进行15分钟加热处理后的常规剥离力Fdb为3.00N/20mm以下。
4.半导体加工用粘合片，其是包含构成粘合面的粘合剂层的半导体加工用粘合片，
所述半导体加工用粘合片的初始常规剥离力Fd0为0.10N/20mm以上，并且，
水剥离力Fwb为2.00N/20mm以下，所述水剥离力Fwb是于200℃进行15分钟加热处理后、向所述粘合片的从被粘物剥离的剥离前沿供给水从而测定的。
5.如权利要求1～4中任一项所述的半导体加工用粘合片，其中，根据于150℃进行15分钟加热处理后的常规剥离力Fda[N/20mm]、和于200℃进行15分钟加热处理后的常规剥离力Fdb[N/20mm]，通过下式：Fdb/Fda算出的常规剥离力比为4.0以下。
6.如权利要求1～5中任一项所述的半导体加工用粘合片，其中，根据于150℃进行15分钟加热处理后的常规剥离力Fda[N/20mm]、和于200℃进行15分钟加热处理后的常规剥离力Fdb[N/20mm]，通过下式：Fdb-Fda算出的常规剥离力差为1.50N/20mm以下。
7.如权利要求1～6中任一项所述的半导体加工用粘合片，其包含支撑所述粘合剂层的基材。
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