[发明专利]一种存储器件以及电子装置有效

专利信息
申请号: 202011455230.9 申请日: 2020-12-10
公开(公告)号: CN112687691B 公开(公告)日: 2022-11-22
发明(设计)人: 孔繁生;周华 申请(专利权)人: 光华临港工程应用技术研发(上海)有限公司
主分类号: H01L27/11 分类号: H01L27/11;H01L29/06;H01L29/423;H01L29/78
代理公司: 北京磐华捷成知识产权代理有限公司 11851 代理人: 谢栒
地址: 201306 上海市浦东*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 存储 器件 以及 电子 装置
【说明书】:

发明公开了一种存储器件以及电子装置。存储器件至少包括:衬底;第一纳米线、第二纳米线、第三纳米线以及第四纳米线;第一晶体管的第一栅极和第二晶体管的第二栅极分别环绕第一纳米线设置;第三晶体管的第三栅极和第四晶体管的第四栅极分别环绕第二纳米线设置;第五晶体管的第五栅极环绕第三纳米线设置;第六晶体管的第六栅极环绕第四纳米线设置。其中,第一晶体管的第一漏极和第二晶体管的第二源极连接至第一存储节点,第三晶体管的第三漏极和第四晶体管的第四源极连接至第二存储节点,第一晶体管的第一栅极和第二晶体管的第二栅极连接至第二存储节点,第三晶体管的第三栅极和第四晶体管的第四栅极连接至第一存储节点。

技术领域

本发明涉及电子存储领域,具体而言涉及一种存储器件以及电子装置。

背景技术

随着数字集成电路的不断发展,片上集成的存储器已经成为数字系统中重要的组成部分。SRAM(Static Random Access Memory,静态随机存取存储器)以其低功耗、高速的优点成为片上存储器中不可或缺的重要组成部分。SRAM只要为其供电即可保存数据,无需不断对其进行刷新。

由于功耗的增加,通过缩放MOSFET以改善器件性能并增加器件的密度面临巨大挑战。在纳米级MOSFET器件中亚阈值漏电流(Subthreshold leakage)(关闭状态)是主要的漏电流,而且具有很高的温度依赖。由于设备亚阈值斜率(SS)的不可伸缩性,亚阈值漏电流随设备缩小而增加。同时电源电压的连续降低(Vdd),需要降低阈值电压(Vth)来维持器件的性能。为了解决这个问题,需要对晶体管进行改进,虽然目前提出一些新颖的晶体管器件,例如基于碳纳米管的FET,冲击电离MOSFET和基于NEMS的FET,TFET具有与CMOS工艺兼容的优势,并具有极低的OFF状态电流。其他器件的制造工艺具有不兼容的缺点,以及运行时需要高电压对于器件的可靠性造成影响。

因此需要对目前的存储器件进行改进,以消除目前存在的上述问题。

发明内容

在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念,这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征,更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

为了克服目前存在的问题,本发明提供了一种存储器件,所述存储器件至少包括:

衬底;

第一纳米线、第二纳米线、第三纳米线以及第四纳米线,形成于所述衬底上并垂直于所述衬底;

第一类型的第一晶体管的第一栅极和第二类型的第二晶体管的第二栅极分别环绕所述第一纳米线设置;

第一类型的第三晶体管的第三栅极和第二类型的第四晶体管的第四栅极分别环绕所述第二纳米线设置;

第一类型的第五晶体管的第五栅极环绕所述第三纳米线设置;

第一类型的第六晶体管的第六栅极环绕所述第四纳米线设置;

其中,所述第一晶体管的第一漏极和所述第二晶体管的第二源极连接至第一存储节点,所述第三晶体管的第三漏极和所述第四晶体管的第四源极连接至第二存储节点,所述第一晶体管的第一栅极和所述第二晶体管的第二栅极连接至所述第二存储节点,所述第三晶体管的第三栅极和所述第四晶体管的第四栅极连接至所述第一存储节点,所述第一晶体管的第一源极和所述第三晶体管的第三源极连接,所述第二晶体管的第二漏极和所述第四晶体管的第四漏极连接,所述第五晶体管的第五源极连接至所述第一存储节点,所述第六晶体管的第六漏极连接至所述第二存储节点。

可选地,所述第五晶体管的第五漏极连接至第一位线,所述第六晶体管的第六源极连接至第二位线,所述第五晶体管的第五栅极与第二字线,所述第六晶体管的第六栅极与第一字线连接。

可选地,所述第一源极和所述第一漏极设置于所述第一栅极两侧的所述第一纳米线中;和/或

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