[发明专利]一种存储器件以及电子装置

权利要求书

1.一种存储器件，其特征在于，所述存储器件至少包括：

衬底；

第一纳米线、第二纳米线、第三纳米线以及第四纳米线，形成于所述衬底上并垂直于所述衬底；

第一类型的第一晶体管的第一栅极和第二类型的第二晶体管的第二栅极分别环绕所述第一纳米线设置；

第一类型的第三晶体管的第三栅极和第二类型的第四晶体管的第四栅极分别环绕所述第二纳米线设置；

第一类型的第五晶体管的第五栅极环绕所述第三纳米线设置；

第一类型的第六晶体管的第六栅极环绕所述第四纳米线设置；

其中，所述第一晶体管的第一漏极和所述第二晶体管的第二源极连接至第一存储节点，所述第三晶体管的第三漏极和所述第四晶体管的第四源极连接至第二存储节点，所述第一晶体管的第一栅极和所述第二晶体管的第二栅极连接至所述第二存储节点，所述第三晶体管的第三栅极和所述第四晶体管的第四栅极连接至所述第一存储节点，所述第一晶体管的第一源极和所述第三晶体管的第三源极连接，所述第二晶体管的第二漏极和所述第四晶体管的第四漏极连接，所述第五晶体管的第五源极连接至所述第一存储节点，所述第六晶体管的第六漏极连接至所述第二存储节点；

所述第三纳米线、所述第二纳米线、所述第四纳米线和所述第一纳米线按照顺时针方向分布于方形结构的顶角处；

在所述衬底上形成有第一层，在所述第一层中形成有第一连接结构，所述第一连接结构的一端与所述第一源极连接，所述第一连接结构的另一端与所述第三源极连接；

在所述第一层上形成有第二层，在所述第二层中形成有与所述第一栅极连接并向所述第四纳米线方向延伸的第一栅极延伸部；以及在所述第二层中形成有与所述第三栅极连接并向所述第三纳米线方向延伸的第三栅极延伸部；

在所述第二层上形成有第三层，在所述第三层中形成有第二连接结构和第三连接结构，所述第二连接结构分别与所述第二源极和第五源极连接，所述第三连接结构分别与所述第四源极和所述第六漏极连接；所述第三层中还形成有与所述第二连接结构连接的第一连接延伸部，所述第一连接延伸部向所述第三纳米线和所述第二纳米线之间的区域延伸；以及所述第三层中还形成有与所述第三连接结构连接的第二连接延伸部，所述第二连接延伸部向所述第一纳米线和所述第四纳米线之间的区域延伸。

2.根据权利要求1所述的存储器件，其特征在于，所述第五晶体管的第五漏极连接至第一位线，所述第六晶体管的第六源极连接至第二位线，所述第五晶体管的第五栅极与第二字线连接，所述第六晶体管的第六栅极与第一字线连接。

3.根据权利要求2所述的存储器件，其特征在于，所述第一源极和所述第一漏极设置于所述第一栅极两侧的所述第一纳米线中；和/或

所述第二源极和所述第二漏极设置于所述第二栅极两侧的所述第一纳米线中；和/或

所述第三源极和所述第三漏极设置于所述第三栅极两侧的所述第二纳米线中；和/或

所述第四源极和所述第四漏极设置于所述第四栅极两侧的所述第二纳米线中；和/或

所述第五源极和所述第五漏极设置于所述第五栅极两侧的所述第三纳米线中；和/或

所述第六源极和所述第六漏极设置于所述第六栅极两侧的所述第四纳米线中。

4.根据权利要求1所述的存储器件，其特征在于，在所述第三层上还形成有第四层，在所述第四层中形成有与所述第二栅极连接并向所述第四纳米线方向延伸的第二栅极延伸部；以及

在所述第四层中形成有与所述第四栅极连接并向所述第三纳米线方向延伸的第四栅极延伸部。

5.根据权利要求4所述的存储器件，其特征在于，在所述第四层上还形成有第五层，在所述第五层中形成有第四连接结构，所述第四连接结构的一端与所述第二漏极连接，所述第四连接结构的另一端与所述第四漏极连接。

6.根据权利要求5所述的存储器件，其特征在于，所述存储器件还包括第一通孔和第二通孔，所述第一通孔的一端连接所述第一栅极延伸部，所述第一通孔的另一端连接所述第二栅极延伸部；

所述第二通孔的一端连接所述第三栅极延伸部，所述第二通孔的另一端连接所述第三栅极延伸部。