[发明专利]砧板及其制备方法

权利要求书

1.一种砧板，其特征在于，包括：

砧板本体，所述砧板本体包括至少一层钛板层；

抗菌层，所述抗菌层设置于所述至少一个钛板层，并位于所述砧板本体的外表面。

2.根据权利要求1所述的砧板，其特征在于，

所述抗菌层包括二氧化钛膜层。

3.根据权利要求2所述的砧板，其特征在于，

所述二氧化钛膜层为纳米二氧化钛膜层或微米二氧化钛膜层。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的砧板，其特征在于，所述砧板本体还包括：

至少一层附加层，所述至少一层附加层和所述至少一层钛板层堆叠分布。

5.根据权利要求4所述的砧板，其特征在于，

所述钛板层的数量为一层，所述至少一层附加层设置在所述钛板层的一侧；或

所述钛板层的数量为两层，所述至少一层附加层设置在两层所述钛板层之间。

6.根据权利要求4所述的砧板，其特征在于，

所述附加层的数量为多层，多层所述附加层包括塑料板层或木板层或铝板层。

7.根据权利要求1至3中任一项所述的砧板，其特征在于，

所述钛板层由钛或由钛合金构造而成。

8.一种砧板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供砧板本体、镀膜机和二氧化钛靶材，其中，所述砧板本体包括至少一层钛板层；

通过所述镀膜机配合所述二氧化钛靶材进行物理气相沉积处理，以在所述钛板层的表面沉积形成抗菌层。

9.根据权利要求8所述的砧板的制备方法，其特征在于，所述抗菌层为二氧化钛膜层，所述物理气相沉积处理为利用氩气进行磁控溅射气相沉积处理。

10.根据权利要求9所述的砧板的制备方法，其特征在于，所述物理气相沉积处理中，磁控靶电流的取值范围为2A至3A，偏压的取值范围为150V至200V，氩气气压的取值范围为0.4Pa至0.6Pa，氩气流量的取值范围为140ml/min至160ml/min，溅射温度的取值范围为150℃至180℃，沉积时间的取值范围为2h至3h，氩气的占空比的取值范围为60％至70％。

11.根据权利要求9所述的砧板的制备方法，其特征在于，所述物理气相沉积处理中，控制所述砧板本体在所述镀膜机的腔体内公转，其中，所述砧板本体公转的速度的取值范围为1.5r/min至2.0r/min。

12.根据权利要求8至11中任一项所述的砧板的制备方法，其特征在于，在所述通过所述镀膜机配合所述二氧化钛靶材进行物理气相沉积处理的步骤之前，还包括：

对所述砧板本体进行清洗、干燥处理。

13.根据权利要求12所述的砧板的制备方法，其特征在于，所述对所述砧板本体进行清洗、干燥处理的步骤包括：

采用有机溶剂对所述砧板本体进行超声清洗。

14.根据权利要求12所述的砧板的制备方法，其特征在于，在所述对所述砧板本体进行清洗、干燥处理的步骤之后，所述通过所述镀膜机配合所述二氧化钛靶材进行物理气相沉积处理的步骤之前，还包括：

通过所述镀膜机进行抽真空处理，以使所述砧板本体处于真空环境中；

通过氩气对所述砧板本体进行离子轰击，以溅射清洗所述砧板本体。

15.根据权利要求14所述的砧板的制备方法，其特征在于，

所述真空环境中的气体压力不超过5×10^-3Pa；

在溅射清洗所述砧板本体的过程中，溅射清洗时长的取值范围为15min至20min，偏压的取值范围为400V至500V。