[发明专利]等离子体处理装置和等离子体处理方法

说明书

本发明提供一种等离子体处理装置和等离子体处理方法，能够抑制副产物的向腔室内的未暴露于等离子体和为生成该等离子体而施加的高频电力的区域的沉积。腔室用于对基板进行等离子体处理。加热器与腔室内的未暴露于等离子体和为生成该等离子体而施加的高频电力的区域相对应地配置。加热器电源被设为能够向加热器供给脉冲状的电力。

技术领域

本公开涉及一种等离子体处理装置和等离子体处理方法。

背景技术

专利文献1公开了以下一种技术：使等离子体处理室绝缘，自氟碳气体生成等离子体并向等离子体处理室的外侧的空间供给，由此去除外侧的空间的非等离子体表面的附着物。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2018-195817号公报

发明内容

发明要解决的问题

本公开提供一种抑制副产物的向腔室内的未暴露于等离子体和高频电力的区域的沉积的技术。

用于解决问题的方案

本公开的一个方式的等离子体处理装置具备腔室、加热器以及加热器电源。在腔室中对基板进行等离子体处理。加热器配置于腔室内的未暴露于等离子体和高频电力的区域。加热器电源被设为能够向加热器供给脉冲状的电力。

发明的效果

根据本公开，能够抑制副产物的向腔室内未暴露于等离子体和高频电力的区域的沉积。

附图说明

图1是概要性地示出实施方式所涉及的等离子体处理装置的截面的一例的图。

图2是示出实施方式所涉及的加热器的配置的一例的图。

图3是示出实施方式所涉及的加热器的温度变化的一例的图。

图4是示出向实施方式所涉及的加热器供给的脉冲状的电力的一例的图。

图5是示出通过实施方式所涉及的加热器进行的加热的一例的图。

图6是示出实施方式所涉及的构件的表面和背面的温度变化的一例的图。

图7是示出实施方式所涉及的试验体的一例的图。

图8是说明实施方式所涉及的实验的概要的图。

图9是示出实施方式所涉及的加热器和试验体的配置的概要的图。

图10是示出实施方式所涉及的实验结果的图。

图11是概要性地示出其它实施方式所涉及的等离子体处理装置的截面的一例的图。

附图标记说明

10：等离子体处理装置；12：腔室；13：支承台；48：隔板；51：排气口；55：加热器；56：加热器电源；W：晶圆。

具体实施方式

以下，参照附图来详细说明本申请公开的等离子体处理装置和等离子体处理方法的实施方式。此外，并非通过本实施方式来限定公开的等离子体处理装置和等离子体处理方法。