[发明专利]等离子体处理装置和等离子体处理方法

权利要求书

1.一种等离子体处理装置，具备：

腔室，其用于对基板进行等离子体处理；

加热器，其配置于所述腔室内的未暴露于等离子体和高频电力的区域；以及

加热器电源，其能够向所述加热器供给脉冲状的电力。

2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，还具备：

支承台，其支承所述基板；

排气口，其用于排出所述腔室内的气体；以及

隔板，其配置于所述腔室的内侧面与所述支承台之间，将所述腔室划分为用于处理所述基板的处理空间和包括所述排气口的排气空间，

所述加热器配置于所述排气空间。

3.根据权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述加热器以包围所述支承台的周围的方式配置。

4.根据权利要求1～3中的任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，还具备：

支承台，其支承所述基板；

上部电极，其以与所述支承台相向的方式设置；

升降机构，其使所述上部电极在所述腔室的顶部与所述支承台之间升降；以及

筒状壁，其设置于所述腔室内，且包围所述支承台和所述上部电极的周围，

所述加热器配置于通过所述筒状壁的外侧、所述上部电极以及所述腔室的顶部形成的空间。

5.根据权利要求1～4中的任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述加热器是红外线加热器。

6.根据权利要求1～5中的任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，

还具备控制部，该控制部控制所述加热器电源以执行包括以下工序的处理：

工序(a)，向所述加热器供给电力，直到未暴露的所述区域变为使附着于未暴露的该区域的副产物挥发的温度为止；

工序(b)，停止供给所述电力；以及

工序(c)，重复进行所述工序(a)和所述工序(b)。

7.根据权利要求6所述的等离子体处理装置，其特征在于，

还具备设置于未暴露的所述区域和所述腔室的外表面中的至少一方的用于测定温度的温度传感器。

8.根据权利要求6或7所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述控制部在所述工序(c)中重复进行所述工序(a)和所述工序(b)，以使所述腔室的外表面变为比所述挥发的温度低的许可温度以下。

9.根据权利要求1～5中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述控制部具备以下工序：将所述基板配置于支承所述基板的支承台来进行等离子体处理；以及不将所述基板配置于所述支承台地对所述腔室内进行清洁，

进行等离子体处理的所述工序包括以下工序：

工序(a1)，向所述加热器供给电力，直到未暴露的所述区域变为第一温度为止；

工序(b1)，停止供给所述电力；以及

工序(c1)，重复进行所述工序(a1)和所述工序(b1)，

进行所述清洁的工序执行包括以下工序的处理：

工序(a2)，向所述加热器供给电力，直到未暴露的所述区域变为第二温度为止；

工序(b2)，停止供给所述电力；以及

工序(c2)，重复进行所述工序(a2)和所述工序(b2)。

10.根据权利要求9所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述第一温度是能够抑制副产物的附着的温度，所述第二温度是能够促进副产物的去除的温度。

11.根据权利要求10所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述副产物是钛类的副产物，所述第一温度为80℃～100℃，所述第二温度为100℃～120℃。