[发明专利]一种半导体分立器用硅外延生长扩散辅助设备

说明书

本发明涉及半导体分立器制造技术领域，且公开了一种半导体分立器用硅外延生长扩散辅助设备，包括扩散辅助机构，所述扩散辅助机构的中心设有衬底，衬底的外侧活动连接有固定板，固定板的外侧活动连接有连接件。该半导体分立器用硅外延生长扩散辅助设备，通过四氯化硅和氢气的反应进而产生硅和氯化氢，从而该过程在调和环的配合下被完成，在完成的过程中，四氯化硅和氢气的反应会在离子仓内部的感应电流的处理下，从而使生成的硅材料被附有带电粒子，从而使附有带电粒子的硅材料，通过导管的传递，使固定板内侧的衬底的上方沉积有硅材料，从而减少了人为调和可能产生的杂质，从而使硅材料的调和度升高。

技术领域

本发明涉及半导体分立器制造技术领域，具体为一种半导体分立器用硅外延生长扩散辅助设备。

背景技术

半导体晶体二极管也叫做半导体分立器件，随着电子整机、消费类电子产品以及微电子行业的高速发展，半导体晶体二极管也随着市场的需求开始高速发展，而半导体晶体二极管主要依靠PN结来进行工作，从而来控制信号和放大信号等。

半导体晶体二极管根据制造材质的不同分为锗以及硅材料等，其中硅材料的生产主要采用硅气相外延的方法，来生产二极管，即在电阻率低的衬底上生长一层高电阻的外延层，器件制作在外延层上，但是现有硅材料二极管对二极管掺杂度要求较高，人工控制外延硅的生产易使硅材料的内部杂质变多，从而不利于硅材料的成型度，从而影响半导体的数据接受速率。

针对上述问题，本发明提出一种半导体分立器用硅外延生长扩散辅助设备，具有杂质干扰少和外延效果好的优点。

发明内容

(一)解决的技术问题

针对现有技术的不足，本发明提供了一种半导体分立器用硅外延生长扩散辅助设备，具备杂质干扰少和外延效果好的优点，解决了杂质干扰多和外延效果差的问题。

(二)技术方案

为解决上述技术问题，本发明提供如下技术方案：

一种半导体分立器用硅外延生长扩散辅助设备，包括扩散辅助机构，所述扩散辅助机构的中心设有衬底，衬底的外侧活动连接有固定板，固定板的外侧活动连接有连接件，固定板的顶部固定连接有导管，导管的顶部固定连接有环管，环管的顶部活动连接有调和环，调和环的内部设有离子仓，离子仓的内部活动连接有转轴，转轴的外侧固定连接有搅板，搅板的外侧设有磁铁，调和环的顶部固定连接有弧管，弧管的外侧固定连接有风管，风管的内侧活动连接有支撑柱，支撑柱的底部活动连接有弹簧，风管的内侧活动连接有氢气扇，弧管的顶部固定连接有整流球，整流球的外侧固定连接有异形管，异形管的顶部固定连接有液体仓，液体仓的内部转动连接有转动轮，转动轮的顶部活动连接有硅仓，硅仓的内部活动连接有滚球，滚球的外侧设有喷头。

优选的，所述固定板的数目为四个，且四个固定板均匀分布在衬底的外侧。

优选的，所述固定板的数目和导管的数目相同，且固定板通过导管和环管活动连接。

优选的，所述离子仓的数目为三个，且三个离子仓均匀分布在调和环的内部。

优选的，所述搅板的数目为三个，且三个搅板均匀分布在转轴的外侧。

优选的，所述氢气扇的左右两侧均设有支撑柱，且氢气扇均匀分布在调和环的外侧。

优选的，所述硅仓的内部设有四氯化硅，且滚球的数目是硅仓数目的两倍。

(三)有益效果

与现有技术相比，本发明提供了一种半导体分立器用硅外延生长扩散辅助设备，具备以下有益效果：