[发明专利]碲化镉的提纯方法

权利要求书

1.一种碲化镉的提纯方法，其特征在于，其包括步骤：

步骤一，装料：按化学计量比将高纯碲和镉装入坩埚内部，坩埚为一端封闭且为圆锥形、另一端开口且为圆柱形的管，抽真空之后，密封坩埚的开口，之后将装料后的密封的坩埚以圆锥形位于顶部而密封的开口处为底部的直立姿势装入管式炉内；

步骤二，升温熔料：将管式炉均升温至1100℃～1150℃，其高于碲化镉的熔点；

步骤三，提纯阶段：维持坩埚的底部温度不变，坩埚的顶部降温，碲化镉气体分子从坩埚的底部的碲化镉熔体溢出，并在坩埚的顶部的低温区凝华，获得从坩埚的圆锥形的顶部到坩埚的圆柱形对应的部位的碲化镉物料；

步骤四，降温阶段：坩埚整体降温到室温；

步骤五，取晶阶段：待坩埚温度达到室温之后，将坩埚从管式炉内取出，敲开坩埚，取出多晶；

步骤六，将多晶的与坩埚的圆锥形的顶部对应的碲化镉物料的前10％～20％重量切除，且将坩埚的底部未挥发的碲化镉物料作为废料处理，多晶的与坩埚的圆锥形的顶部的碲化镉物料中剩余的80％～90％部分以及多晶的与坩埚的圆柱形对应的部分作为高纯碲化镉物料存用。

2.根据权利要求1所述的碲化镉的提纯方法，其特征在于，在步骤一中，圆锥形的圆锥角为θ，60°θ≤90°。

3.根据权利要求1所述的碲化镉的提纯方法，其特征在于，在步骤一中，装料阶段真空度低于10^-3Pa。

4.根据权利要求1所述的碲化镉的提纯方法，其特征在于，在步骤二中，均升温程序为3h从室温到350℃，并保温1h；之后1h升温到500℃，并保温2h；之后6h升温到1100℃，并保温6h。

5.根据权利要求1所述的碲化镉的提纯方法，其特征在于，在步骤三中，维持坩埚底部温度为1100℃～1150℃。

6.根据权利要求1所述的碲化镉的提纯方法，其特征在于，在步骤三中，维持坩埚底部温度为1100℃。

7.根据权利要求1所述的碲化镉的提纯方法，其特征在于，在步骤三中，坩埚顶部的降温速率为5℃/h～20℃/h。

8.根据权利要求8所述的碲化镉的提纯方法，其特征在于，在步骤三中，坩埚顶部降温至700～900℃。

9.根据权利要求8所述的碲化镉的提纯方法，其特征在于，在步骤三中，坩埚顶部降温至800℃。

10.根据权利要求1所述的碲化镉的提纯方法，其特征在于，在步骤四中，以50℃/h～100℃/h的速度降温到室温。