[发明专利]升针方法、半导体工艺设备在审

专利信息
申请号: 202011447713.4 申请日: 2020-12-11
公开(公告)号: CN112802795A 公开(公告)日: 2021-05-14
发明(设计)人: 赵晓建 申请(专利权)人: 北京北方华创微电子装备有限公司
主分类号: H01L21/687 分类号: H01L21/687;H01L21/67
代理公司: 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 代理人: 莎日娜
地址: 100176 北京市大*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 方法 半导体 工艺设备
【说明书】:

本申请实施例提供了升针方法、半导体工艺设备,该方法包括:控制顶针自初始位置以第一预设速度上升,完成升针总行程的第一段行程;控制顶针以第二预设速度继续匀速上升,并实时判断用于驱动所述顶针的伺服电机的扭矩是否大于预设阈值;若伺服电机的扭矩始终未大于预设阈值,则持续控制顶针以第二预设速度匀速上升,完成升针总行程的第二段行程;控制顶针以第三预设速度继续上升,完成升针总行程的第三段行程。本申请实施例提供的技术方案可以确保在升针过程中不会造成晶圆损坏或漂移。

技术领域

本申请涉及半导体制造领域,具体涉及一种升针方法、半导体工艺设备。

背景技术

诸如刻蚀机的半导体工艺设备对晶圆进行工艺时,当晶圆完成工艺后,需要对工艺腔室的静电卡盘(ESC)中的、用于在与晶圆接触之后推动晶圆上升的顶针进行升针,使得顶针从初始位置到达目标位置。在升针过程中,顶针在与晶圆接触之后推动晶圆上升,在升针过程完成时,晶圆从晶圆的初始位置上升至晶圆的目标位置,以使得机械手可以对处于晶圆的目标位置的晶圆进行取片操作。

目前的升针过程为开环控制,且压力较大,对晶圆冲击较大,当加工完成后的晶圆内部残余电荷较多时,在升针过程中易产生晶圆的漂移,并且会对晶圆造成划痕,导致机台不能正常运行。

发明内容

本申请提供一种升针方法、半导体工艺设备。

根据本申请实施例的第一方面,提供一种升针方法,应用于半导体工艺设备,包括:

控制顶针自初始位置以第一预设速度上升,完成升针总行程的第一段行程,其中,完成所述第一段行程后,所述顶针未伸出所述半导体工艺设备中的静电卡盘的表面;

控制所述顶针以第二预设速度继续匀速上升,并实时判断用于驱动所述顶针的伺服电机的扭矩是否大于预设阈值,其中,所述第一预设速度大于所述第二预设速度;

若所述伺服电机的扭矩始终未大于所述预设阈值,则持续控制所述顶针以所述第二预设速度匀速上升,完成所述升针总行程的第二段行程,其中,在所述第二段行程中,所述顶针伸出所述静电卡盘的表面;

控制所述顶针以第三预设速度继续上升,完成所述升针总行程的第三段行程,其中,所述第三预设速度大于所述第二预设速度。

根据本申请实施例的第二方面,提供一种半导体工艺设备,包括:

包括工艺腔室,所述工艺腔室中设置有静电卡盘,所述静电卡盘中设置有顶针,其特征在于,所述半导体工艺设备还包括:

伺服电机、丝杠和丝杠滑块,所述顶针与所述丝杠滑块连接,所述丝杠滑块设置在所述丝杠上,所述伺服电机用于同所述丝杠驱动所述丝杠滑块升降,以带动所述顶针升降;

控制器,被配置为控制所述伺服电机驱动顶针自初始位置以第一预设速度上升,完成升针总行程的第一段行程,其中,完成第一段行程后,顶针未伸出半导体工艺设备中的静电卡盘的表面;控制伺服电机驱动顶针以第二预设速度继续匀速上升,并实时判断用于驱动顶针的伺服电机的扭矩是否大于预设阈值,其中,第一预设速度大于第二预设速度;若伺服电机的扭矩始终未大于预设阈值,则持续控制伺服电机驱动顶针以所述第二预设速度匀速上升,完成所述升针总行程的第二段行程,其中,在所述第二段行程中,所述顶针伸出所述静电卡盘的表面;控制所述伺服电机驱动所述顶针以第三预设速度继续上升,完成所述升针总行程的第三段行程,其中,所述第三预设速度大于所述第二预设速度。

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