[发明专利]升针方法、半导体工艺设备

权利要求书

1.一种升针方法，应用于半导体工艺设备，其特征在于，所述方法包括：

控制顶针自初始位置以第一预设速度上升，完成升针总行程的第一段行程，其中，完成所述第一段行程后，所述顶针未伸出所述半导体工艺设备中的静电卡盘的表面；

控制所述顶针以第二预设速度继续匀速上升，并实时判断用于驱动所述顶针的伺服电机的扭矩是否大于预设阈值，其中，所述第一预设速度大于所述第二预设速度；

若所述伺服电机的扭矩始终未大于所述预设阈值，则持续控制所述顶针以所述第二预设速度匀速上升，完成所述升针总行程的第二段行程，其中，在所述第二段行程中，所述顶针伸出所述静电卡盘的表面；

控制所述顶针以第三预设速度继续上升，完成所述升针总行程的第三段行程，其中，所述第三预设速度大于所述第二预设速度。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一段行程的终点位置位于所述静电卡盘的表面的下方，与所述静电卡盘的表面之间的距离大于0并且小于0.3mm。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二段行程的终点位置位于所述静电卡盘的表面的上方，与所述静电卡盘的表面之间距离大于0.5mm并且小于1mm。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述顶针通过伺服电机、丝杠和丝杠滑块而被升降，所述伺服电机通过所述丝杠驱动所述丝杠滑块升降，所述丝杠滑块在被升降时带动所述顶针升降。

5.根据权利要求1-4之一所述的方法，其特征在于，还包括：

在所述顶针以所述第二预设速度匀速上升的过程中，若所述伺服电机的扭矩大于或等于所述预设阈值，则控制所述顶针回到所述初始位置；

执行预设的放电操作；

返回所述控制顶针自初始位置以第一预设速度上升的步骤。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述放电操作包括以下至少之一：

向所述半导体工艺设备的工艺腔室中通入预设气体，将所述工艺腔室的压力调整为预设压力；

向所述工艺腔室中通入预设流量的所述预设气体。

7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，在所述执行预设的放电处理操作的步骤之前，还包括：

判断重试次数是否达到预设的上限值，所述重试次数为返回所述控制顶针自初始位置以第一预设速度上升的步骤的次数；

如果是，则执行预设的解吸附操作，将所述重试次数归零，再返回所述控制顶针自初始位置以第一预设速度上升的步骤；

如果否，则直接返回所述控制顶针自初始位置以第一预设速度上升的步骤。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述解吸附操作包括：

向所述静电卡盘加载与吸附电压反向的电压。

9.一种半导体工艺设备，包括工艺腔室，所述工艺腔室中设置有静电卡盘，所述静电卡盘中设置有顶针，其特征在于，所述半导体工艺设备还包括：

伺服电机、丝杠和丝杠滑块，所述顶针与所述丝杠滑块连接，所述丝杠滑块设置在所述丝杠上，所述伺服电机用于同所述丝杠驱动所述丝杠滑块升降，以带动所述顶针升降；

控制器，被配置为控制所述伺服电机驱动顶针自初始位置以第一预设速度上升，完成升针总行程的第一段行程，其中，完成所述第一段行程后，所述顶针未伸出所述半导体工艺设备中的静电卡盘的表面；控制所述伺服电机驱动所述顶针以第二预设速度继续匀速上升，并实时判断用于驱动所述顶针的伺服电机的扭矩是否大于预设阈值，其中，所述第一预设速度大于所述第二预设速度；若所述伺服电机的扭矩始终未大于所述预设阈值，则持续控制所述伺服电机驱动所述顶针以所述第二预设速度匀速上升，完成所述升针总行程的第二段行程，其中，在所述第二段行程中，所述顶针伸出所述静电卡盘的表面；控制所述伺服电机驱动所述顶针以第三预设速度继续上升，完成所述升针总行程的第三段行程，其中，所述第三预设速度大于所述第二预设速度。

10.根据权利要求8所述的半导体工艺设备，其特征在于，控制器还被配置为在所述顶针以所述第二预设速度匀速上升的过程中，若所述伺服电机的扭矩大于或等于所述预设阈值，则控制所述伺服电机驱动所述顶针回到所述初始位置；在所述工艺腔室中执行预设的放电操作；再次控制所述伺服电机驱动所述控制顶针自初始位置以第一预设速度上升。