[发明专利]一种压控/数控振荡器的使能控制电路

说明书

本发明涉及振荡器技术领域，尤其涉及一种压控/数控振荡器的使能控制电路，其中，包括：一电压生成电路，用以生成一预设使能电压；一开关组件，开关组件连接于电压生成电路，用以在一使能信号的控制下，将预设使能电压输出至一压控振荡器电路。有益效果：通过电压生成电路生成预设使能电压，使得使能信号电压增强，以解决对压控振荡器工作状态的限制问题，也进一步提高压控振荡器的相位噪声性能，同时降低功耗。

技术领域

本发明涉及振荡器技术领域，尤其涉及一种压控/数控振荡器的使能控制电路。

背景技术

在无线/有线通讯系统中，锁相环被广泛应用，通常高性能振荡器是高性能锁相环的核心之一，高性能振荡器对提高系统性能，降低应用成本具有重要意义。

现有技术中，一种柯比磁结构振荡器广泛的应用在各种高性能系统中，具有较好的相位噪声，且结构简单，设计成本低，如图1所示。然而，这种柯比磁结构振荡器，虽然具有柯比磁结构高性能的特点，对晶体管的闪烁噪声上变频也具有一定的抑制作用，但是在部分应用中其相位噪声性能较低。另外，在工程设计中，振荡器的设计需要考虑温度和工艺角的影响，然而，现有技术中的柯比磁结构振荡器不具备可以解决温度和工艺角等变量对振荡器性能的影响的问题。

发明内容

针对现有技术中存在的上述问题，现提供一种压控/数控振荡器的使能控制电路。

具体技术方案如下：

本发明提供一种压控/数控振荡器的使能控制电路，其中，包括：

一电压生成电路，用以生成一预设使能电压；

一开关组件，所述开关组件连接于所述电压生成电路，用以在一使能信号的控制下，将所述预设使能电压输出至一压控振荡器电路。

优选的，还包括一使能输入端，连接所述开关组件，用以提供所述使能信号。

优选的，所述开关组件包括：

一第一NMOS管，所述第一NMOS管的源极连接一预设电压，所述第一NMOS管的栅极连接至所述使能输入端；

一PMOS管，所述PMOS管的栅极连接至所述使能输入端，所述PMOS管的漏极和所述第一NMOS管的漏极并联连接至所述压控振荡器电路的输入端，所述PMOS管的源极连接所述电压生成电路。

优选的，所述电压生成电路包括：

一控制单元，所述控制单元的输入端连接至所述预设电压，用以输出一初始使能电压；

一分压单元，所述分压单元的输入端连接至所述控制单元的输出端，所述分压单元的输出端连接至所述PMOS管的源极，以输出所述预设使能电压。

优选的，所述控制单元包括一三极管，所述三极管的发射极连接至所述预设电压并形成所述控制单元的输入端，所述三极管的基极和所述三极管的集电极短接，且所述三极管的基极形成所述控制单元的输出端。

优选的，所述分压单元包括：

一第一电阻，所述第一电阻的一端连接至所述三极管的基极并形成所述分压单元的输入端；

一第二电阻，所述第二电阻的一端连接至所述第一电阻背向所述三极管的另一端并形成所述分压单元的输出端，所述第二电阻的另一端连接至地。

优选的，所述压控振荡器电路包括：

一第二NMOS管，所述第二NMOS管的源极通过一第三电阻连接所述预设电压；

一第三NMOS管，所述第三NMOS管的源极连接至所述第二NMOS管的源极，所述第三NMOS管的栅极连接至所述第二NMOS管的漏极，所述第第三NMOS管的漏极连接至所述第二NMOS管的栅极。