[发明专利]一种压控/数控振荡器的使能控制电路在审
| 申请号: | 202011445957.9 | 申请日: | 2020-12-11 |
| 公开(公告)号: | CN112671400A | 公开(公告)日: | 2021-04-16 |
| 发明(设计)人: | 高心驰 | 申请(专利权)人: | 苏州裕太微电子有限公司 |
| 主分类号: | H03L7/099 | 分类号: | H03L7/099;H03L7/18 |
| 代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 吴轶淳 |
| 地址: | 215000 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 数控 振荡器 控制电路 | ||
1.一种压控/数控振荡器的使能控制电路,其特征在于,包括:
一电压生成电路,用以生成一预设使能电压;
一开关组件,所述开关组件连接于所述电压生成电路,用以在一使能信号的控制下,将所述预设使能电压输出至一压控振荡器电路。
2.根据权利要求1所述的使能控制电路,其特征在于,还包括一使能输入端,连接所述开关组件,用以提供所述使能信号。
3.根据权利要求1所述的使能控制电路,其特征在于,所述开关组件包括:
一第一NMOS管,所述第一NMOS管的源极连接一预设电压,所述第一NMOS管的栅极连接至所述使能输入端;
一PMOS管,所述PMOS管的栅极连接至所述使能输入端,所述PMOS管的漏极和所述第一NMOS管的漏极并联连接至所述压控振荡器电路的输入端,所述PMOS管的源极连接所述电压生成电路。
4.根据权利要求3所述的使能控制电路,其特征在于,所述电压生成电路包括:
一控制单元,所述控制单元的输入端连接至所述预设电压,用以输出一初始使能电压;
一分压单元,所述分压单元的输入端连接至所述控制单元的输出端,所述分压单元的输出端连接至所述PMOS管的源极,以输出所述预设使能电压。
5.根据权利要求4所述的使能控制电路,其特征在于,所述控制单元包括一三极管,所述三极管的发射极连接至所述预设电压并形成所述控制单元的输入端,所述三极管的基极和所述三极管的集电极短接,且所述三极管的基极形成所述控制单元的输出端。
6.根据权利要求5所述的使能控制电路,其特征在于,所述分压单元包括:
一第一电阻,所述第一电阻的一端连接至所述三极管的基极并形成所述分压单元的输入端;
一第二电阻,所述第二电阻的一端连接至所述第一电阻背向所述三极管的另一端并形成所述分压单元的输出端,所述第二电阻的另一端连接至地。
7.根据权利要求2所述的使能控制电路,其特征在于,所述压控振荡器电路包括:
一第二NMOS管,所述第二NMOS管的源极通过一第三电阻连接所述预设电压;
一第三NMOS管,所述第三NMOS管的源极连接至所述第二NMOS管的源极,所述第三NMOS管的栅极连接至所述第二NMOS管的漏极,所述第第三NMOS管的漏极连接至所述第二NMOS管的栅极。
8.根据权利要求7所述的使能控制电路,其特征在于,所述压控振荡器电路还包括:
一第四NMOS管,所述第四NMOS管的源极连接至所述第三NMOS管的漏极,所述第四NMOS管的漏极通过一电感抽头接地;
一第五NMOS管,所述第五NMOS管的源极连接至所述第三NMOS管的漏极,所述第五NMOS管的栅极连接至所述第四NMOS管的栅极,所述第五NMOS管的漏极通过所述电感抽头接地。
9.根据权利要求8所述的使能控制电路,其特征在于,所述第四NMOS管的源极和漏极之间包括一第一固定电容;
所述第五NMOS管的源极和漏极之间包括一第二固定电容。
10.根据权利要求8所述的使能控制电路,其特征在于,所述第四NMOS管的漏极和第五NMOS管的漏极之间连接有一第一可调电容和一第二可调电容。
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