[发明专利]具有高台阶结构的硅片的金属剥离工艺

说明书

本发明涉及一种具有高台阶结构的硅片的金属剥离工艺，包括以下步骤：S1、提供硅片，所述硅片具有台阶结构，在所述硅片上定义金属电极区域和非金属电极区域；S2、在所述非金属电极区域上设置感光性干膜；S3、在所述硅片上蒸发金属，通过金属剥离工艺将所述感光性干膜和其上的金属进行剥离，保留所述金属电极区域内的金属。该具有高台阶结构的硅片的金属剥离工艺可以使具有高台阶结构的硅片上的金属剥离干净，避免造成产品异常。

技术领域

本发明涉及一种具有高台阶结构的硅片的金属剥离工艺，属于半导体器件制备领域。

背景技术

光刻技术在半导体制造领域中广泛应用，各种感光性材料在半导体制造技术中用于构图。光刻胶是在光刻中常用的一种感光性材料，为液态胶。光刻胶在光刻的过程中，一般包括旋涂、烘干、曝光、显影、定影、坚膜等过程，最终把掩膜版上的图案转移到光刻胶上。光刻胶有正胶、负胶两种。正胶在曝光后，被曝光的区域在光刻完毕后光刻胶被去除，负胶在曝光后，未被曝光的区域在光刻完毕后光刻胶被去除。

然而，对于具有高台阶结构的硅片(如深硅刻蚀的直槽或KOH腐蚀后的斜槽)，旋涂光刻胶无法得到较好的涂布，而采用喷涂的工艺涂胶，又无法实现在台阶侧壁上涂覆光阻，且坑底涂胶会不均匀。而对于有些产品，需要在深硅刻蚀高台阶上方制备金属电极，采用喷胶的金属剥离工艺在这种高台阶表面制作电极，同时需要将槽底及槽的侧壁金属剥离干净，而往往因槽底胶覆盖不均、槽体侧壁无法覆盖光阻导致槽内(含槽底及侧壁)的金属无法剥离去除干净导致产品异常。

发明内容

本发明的目的在于提供一种具有高台阶结构的硅片的金属剥离工艺，可以使具有高台阶结构的硅片上的金属剥离干净，避免造成产品异常。

为达到上述目的，本发明提供如下技术方案：一种具有高台阶结构的硅片的金属剥离工艺，包括以下步骤：

S1、提供硅片，所述硅片具有台阶结构，在所述硅片上定义金属电极区域和非金属电极区域；

S2、在所述非金属电极区域上设置感光性干膜；

S3、在所述硅片上蒸发金属，通过金属剥离工艺将所述感光性干膜和其上的金属进行剥离，保留所述金属电极区域内的金属。

进一步地，所述台阶结构为直槽或斜槽。

进一步地，所述台阶结构包括台阶顶部、台阶底部和衔接所述台阶顶部与台阶底部的台阶侧壁。

进一步地，所述金属电极区域定义在所述台阶顶部。

进一步地，在所述S2中，所述感光性干膜通过真空贴膜、曝光或显影的方式设置在所述硅片上。

进一步地，在所述S2中，采用所述真空贴膜的方式使所述感光性干膜紧贴所述硅片。

进一步地，在所述S1中，还包括：对所述硅片进行清洗。

进一步地，所述感光性干膜为感光性聚合物材料。

进一步地，所述感光性干膜为选自聚酰亚胺、苯并环丁烯、聚对亚苯基苯并双噁唑中的任意一种或者几种的混合物。

进一步地，在所述S3中，于低压腔室内在所述硅片上进行蒸发金属。

与现有技术相比，本发明的有益效果在于：

1)采用感光性干膜替代液态光刻胶，避免了液态光刻胶针对高台阶结构的硅片在台阶侧壁无法涂胶覆盖、台阶底部涂胶不均等问题；

2)采用真空贴膜方式将感光性干膜紧贴在硅片上，避免大气压力的气泡在蒸发低压腔室内破裂；

3)解决了现有的金属剥离工艺无法将高台阶结构的硅片中的金属剥离干净的问题。