[发明专利]具有高台阶结构的硅片的金属剥离工艺

权利要求书

1.一种具有高台阶结构的硅片的金属剥离工艺，其特征在于，包括以下步骤：

S1、提供硅片，所述硅片具有台阶结构，在所述硅片上定义金属电极区域和非金属电极区域；

S2、在所述非金属电极区域上设置感光性干膜；

S3、在所述硅片上蒸发金属，通过金属剥离工艺将所述感光性干膜和其上的金属进行剥离，保留所述金属电极区域内的金属。

2.如权利要求1所述的具有高台阶结构的硅片的金属剥离工艺，其特征在于，所述台阶结构为直槽或斜槽。

3.如权利要求2所述的具有高台阶结构的硅片的金属剥离工艺，其特征在于，所述台阶结构包括台阶顶部、台阶底部和衔接所述台阶顶部与台阶底部的台阶侧壁。

4.如权利要求3所述的具有高台阶结构的硅片的金属剥离工艺，其特征在于，所述金属电极区域定义在所述台阶顶部。

5.如权利要求1至4中任一项所述的具有高台阶结构的硅片的金属剥离工艺，其特征在于，在所述S2中，所述感光性干膜通过真空贴膜、曝光或显影的方式设置在所述硅片上。

6.如权利要求5所述的具有高台阶结构的硅片的金属剥离工艺，其特征在于，在所述S2中，采用所述真空贴膜的方式使所述感光性干膜紧贴所述硅片。

7.如权利要求1所述的具有高台阶结构的硅片的金属剥离工艺，其特征在于，在所述S1中，还包括：对所述硅片进行清洗。

8.如权利要求1所述的具有高台阶结构的硅片的金属剥离工艺，其特征在于，所述感光性干膜为感光性聚合物材料。

9.如权利要求8所述的具有高台阶结构的硅片的金属剥离工艺，其特征在于，所述感光性干膜为选自聚酰亚胺、苯并环丁烯、聚对亚苯基苯并双噁唑中的任意一种或者几种的混合物。

10.如权利要求1所述的具有高台阶结构的硅片的金属剥离工艺，其特征在于，在所述S3中，于低压腔室内在所述硅片上进行蒸发金属。