[发明专利]一种高线性度低噪声功率跨导放大电路在审

专利信息
申请号: 202011444416.4 申请日: 2020-12-08
公开(公告)号: CN112491368A 公开(公告)日: 2021-03-12
发明(设计)人: 苏杰;李孙华;徐祎喆;朱勇 申请(专利权)人: 重庆百瑞互联电子技术有限公司
主分类号: H03F1/32 分类号: H03F1/32;H03F1/26
代理公司: 北京国科程知识产权代理事务所(普通合伙) 11862 代理人: 曹晓斐
地址: 401120 重庆市渝北区*** 国省代码: 重庆;50
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摘要:
搜索关键词: 一种 线性 噪声 功率 放大 电路
【说明书】:

发明提供一种高线性度低噪声功率跨导放大电路,属于低噪声跨导放大器领域。本发明主要包括:包括:双放大模块、匹配网络模块以及反馈模块。双放大模块包括设置在强反型区域的主互补共源极放大器以及设置在弱反型区域的辅助互补共源极放大器,用于对输入的射频信号进行放大。匹配网络模块用于进行宽带匹配。反馈模块用于对经双放大模块放大后的射频信号进行反馈。本申请的有益效果是:通过设置双互补共源放大结构,利用辅助互补共源极放大器对小信号的线性度进行改善,并且进一步利用辅助互补共源放大器在弱反型区域的扩展特性与主互补共源放大器在强反型区域的压缩特性相结合,以及两个放大器的推挽操作,来提高大信号的线性度。

技术领域

本发明涉及低噪声跨导放大器领域,特别是一种高线性度低噪声功率跨导放大电路。

背景技术

随着无线通信系统的发展,其对于高数据速率的需求的增长,对于宽带射频前端的要求越来越高,对低噪声跨导放大器的线性度要求也越来越来越高。现有技术中的低噪声跨导放大器的大多数线性度较差。为了达到较高的线性度,现有技术中的一些低噪声跨导放大器采用AB类推挽运算以牺牲电路跨导为代价,另外一些低噪声跨导放大器采用推挽共栅共源的低噪声跨导放大结构,会导致噪声大大增加。

发明内容

本申请提供了一种高线性度低噪声功率跨导放大电路,采用双互补共源极放大结构改善低噪声跨导放大电路的线性度。

为了实现上述目的,本申请采用的技术方案是,提供一种高线性度低噪声功率跨导放大电路,包括:双放大模块、匹配网络模块以及反馈模块;

双放大模块包括设置在强反型区域的主互补共源极放大器以及设置在弱反型区域的辅助互补共源极放大器,用于对输入的射频信号进行放大。

匹配网络模块用于进行宽带匹配。

反馈模块用于对经双放大模块放大后的射频信号进行反馈。

本申请的有益效果是:采用了双互补共源极放大结构改善了低噪声跨导放大电路的线性度,通过设置双互补共源放大结构,利用辅助互补共源极放大器对小信号的线性度进行改善,并且进一步利用辅助互补共源放大器在弱反型区域的扩展特性与主互补共源放大器在强反型区域的压缩特性相结合,以及两个放大器的推挽操作,来提高大信号的线性度。

附图说明

图1是本申请一种高线性度低噪声功率跨导放大电路的一个具体实施方式示意图

图2是本申请一种高线性度低噪声功率跨导放大电路的一个具体实施例示意图

图中的各部件标记如下:

VDD-外部电源,RF-反馈电阻,Mp1-第一MOS管,VBp1-第一偏置电压端,R1-第一偏置电阻,Cp1-第一隔直电容,Mn1-第二MOS管,VBn1-第二偏置电压端,R2-第二偏置电阻,Cn1-第二隔直电容,Mp2-第三MOS管,VBp2-第三偏置电压端,R3-第一偏置电阻,Cp2-第三隔直电容,Mn2-第四MOS管,VBn2-第四偏置电压端,R4-第四偏置电阻,Cn2-第四隔直电容,Mp3-第五MOS管Mp3,VBp3-第五偏置电压端,R5-第五偏置电阻,Cp3-第五隔直电容,Mn3-第五MOS管Mn3,VBn3-第六偏置电压端,R6-第六偏置电阻,Cn3-第六隔直电容。

具体实施方式

下面结合附图对本申请的较佳实施例进行详细阐述,以使本申请的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解,从而对本申请的保护范围做出更为清楚明确的界定。

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