[发明专利]半导体器件及其制造方法

说明书

提供了一种半导体器件及其制造方法。在实施例中，通过在不同且独立的工艺过程中制造字线的部分来形成存储器阵列，从而允许首先形成的部分在之后的工艺过程中用作结构支撑，否则将对结构造成不期望的损坏。

技术领域

本申请的实施例涉及半导体器件及其制造方法。

背景技术

半导体存储器用于包括无线电、电视、手机和个人计算设备等电子应用的集成电路中。半导体存储器包括两个主要类别。一种是易失性存储器；另一种是非易失性存储器。易失性存储器包括随机存取存储器(RAM)，可以将其进一步分为两个子类别，静态随机存取存储器(SRAM)和动态随机存取存储器(DRAM)。SRAM和DRAM均为易失性的，因为它们在断电时会丢失存储的信息。

另一方面，非易失性存储器可以将数据存储在其上。一种非易失性半导体存储器是铁电随机存取存储器(FeRAM或FRAM)。FeRAM的优点包括其较快的写入/读取速度和较小的尺寸。

发明内容

本申请的一些实施例提供了一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：在多层堆叠件中蚀刻第一沟槽，所述多层堆叠件包括交替的介电层和牺牲层；在所述第一沟槽内沉积第一导电材料；用第一介电材料填充所述第一沟槽的剩余部分；在填充所述第一沟槽的所述剩余部分之后，在所述多层堆叠件中蚀刻第二沟槽；在所述第二沟槽内沉积第二导电材料；用第二介电材料填充所述第二沟槽的剩余部分；蚀刻所述第一导电材料和所述第二导电材料；以及在蚀刻所述第一导电材料和所述第二导电材料之后，将沟道材料沉积在所述第一沟槽中。

本申请的另一些实施例提供了一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：形成第一介电材料和牺牲材料的交替堆叠件；在所述交替堆叠件内形成第一字线的第一部分，形成第一字线的所述第一部分包括：在所述交替堆叠件中蚀刻第一沟槽；通过在所述第一沟槽内凹进所述牺牲材料的第一部分来形成第一凹槽；将第一导电材料沉积在所述第一凹槽中；以及沉积第二介电材料以填充所述第一沟槽的剩余部分；以及在所述交替堆叠件中形成所述第一字线的第二部分，形成所述第一字线的所述第二部分包括：在所述交替堆叠件中蚀刻第二沟槽；通过去除暴露在所述第二沟槽内的所述牺牲材料的第二部分来形成第二凹槽；将第二导电材料沉积在所述第二凹槽中；以及沉积第三介电材料以填充所述第二沟槽的剩余部分。

本申请的又一些实施例提供了一种半导体器件，包括：铁电材料，远离衬底延伸；沟道材料，位于所述铁电材料的第一侧；第一介电材料，远离所述铁电材料的与所述第一侧相对的第二侧延伸；第二介电材料，远离所述铁电材料的所述第二侧延伸；第一导电材料，远离所述第一介电材料和所述第二介电材料之间的所述铁电材料的所述第二侧延伸，所述第一导电材料包括第一块体材料和第一粘胶层；以及第二导电材料，远离所述第一介电材料和所述第二介电材料之间的所述第一导电材料延伸，所述第二导电材料包括第二块体材料和第二粘胶层，所述第二粘胶层与所述第一粘胶层物理接触。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明的各方面。应该注意，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任何地增大或减小。

图1是根据一些实施例的随机存取存储器的框图。

图2A和图2B是根据一些实施例的存储器阵列的各个视图。

图3A至图15B是根据一些实施例的制造存储器阵列的中间阶段的各个视图。

图16A和图16B是根据一些实施例的存储器阵列的各个视图。

图17A和图17B是根据一些实施例的存储器阵列的各个视图。

图18A和图18B是根据一些实施例的存储器阵列的各个视图。

图19A至图19B是根据一些实施例的制造存储器阵列的中间阶段的各个视图。