[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在多层堆叠件中蚀刻第一沟槽，所述多层堆叠件包括交替的介电层和牺牲层；

在所述第一沟槽内沉积第一导电材料；

用第一介电材料填充所述第一沟槽的剩余部分；

在填充所述第一沟槽的所述剩余部分之后，在所述多层堆叠件中蚀刻第二沟槽；

在所述第二沟槽内沉积第二导电材料；

用第二介电材料填充所述第二沟槽的剩余部分；

蚀刻所述第一导电材料和所述第二导电材料；以及

在蚀刻所述第一导电材料和所述第二导电材料之后，将沟道材料沉积在所述第一沟槽中。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在填充所述第二沟槽的所述剩余部分之后，用所述介电层的部分平坦化所述第二介电材料；以及

在蚀刻所述第一导电材料之前，去除所述介电层的所述部分。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，去除所述介电层的所述部分形成“H”形结构。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一导电材料包括第一粘胶层，并且其中，沉积所述第二导电材料沉积与所述第一粘胶层物理接触的第二粘胶层。

5.根据权利要求1所述的方法，还包括在沉积所述第一导电材料之前凹进所述牺牲层。

6.根据权利要求1所述的方法，还包括在蚀刻所述第二沟槽之前，平坦化所述第一介电材料和所述第一导电材料。

7.根据权利要求1所述的方法，还包括将铁电材料沉积在所述第一沟槽中。

8.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

形成第一介电材料和牺牲材料的交替堆叠件；

在所述交替堆叠件内形成第一字线的第一部分，形成第一字线的所述第一部分包括：

在所述交替堆叠件中蚀刻第一沟槽；

通过在所述第一沟槽内凹进所述牺牲材料的第一部分来形成第一凹槽；

将第一导电材料沉积在所述第一凹槽中；以及

沉积第二介电材料以填充所述第一沟槽的剩余部分；以及

在所述交替堆叠件中形成所述第一字线的第二部分，形成所述第一字线的所述第二部分包括：

在所述交替堆叠件中蚀刻第二沟槽；

通过去除暴露在所述第二沟槽内的所述牺牲材料的第二部分来形成第二凹槽；

将第二导电材料沉积在所述第二凹槽中；以及

沉积第三介电材料以填充所述第二沟槽的剩余部分。

9.根据权利要求8所述的方法，还包括在沉积所述第三介电材料之后，去除所述第一介电材料的顶层。

10.一种半导体器件，包括：

铁电材料，远离衬底延伸；

沟道材料，位于所述铁电材料的第一侧；

第一介电材料，远离所述铁电材料的与所述第一侧相对的第二侧延伸；

第二介电材料，远离所述铁电材料的所述第二侧延伸；

第一导电材料，远离所述第一介电材料和所述第二介电材料之间的所述铁电材料的所述第二侧延伸，所述第一导电材料包括第一块体材料和第一粘胶层；以及

第二导电材料，远离所述第一介电材料和所述第二介电材料之间的所述第一导电材料延伸，所述第二导电材料包括第二块体材料和第二粘胶层，所述第二粘胶层与所述第一粘胶层物理接触。