[发明专利]声表面波滤波芯片封装制造方法及其结构

说明书

本发明提供一种声表面波滤波芯片封装制造方法及其结构，于声表面波滤波芯片内设置通孔，将线路层及导电凸块通过通孔背离芯片功能区设置，从而无需于封盖层上形成用于电性连接的孔槽等结构，降低了对封盖层的厚度及结构强度等性质的要求，使得能够选择高分子聚合物作为声表面波滤波芯片的封盖层，相较于金属、玻璃或晶圆盖板，高分子聚合物更薄，有利于封装结构小型化，且其成本更低，满足工业化需求。

技术领域

本发明涉及封装技术领域，具体地涉及一种声表面波滤波芯片封装制造方法及其结构。

背景技术

声表面波滤波器是移动通讯终端产品的重要部件，因声表面波滤波器产品性能和设计功能需求，需要于声表面波滤波芯片功能区上方覆盖盖板形成空腔结构，现有技术通常采用倒装焊技术或于盖板上设置贯通孔来实现焊球与芯片焊盘的电性连接。

然而上述的对封装结构对盖板的厚度及材质提出了一定要求，通常需要采用玻璃或晶圆基板来制作盖板，难以进一步降低封装结构的厚度，且材料及工艺成本高，工艺流程复杂。

发明内容

本发明的目的在于提供一种声表面波滤波芯片封装制造方法及其结构。

本发明提供一种声表面波滤波芯片封装制造方法，包括步骤：

提供声表面波滤波芯片，其具有相对的芯片第一表面和芯片第二表面，所述芯片第一表面上设有功能区和焊盘；

在所述芯片第一表面上贴附第一膜层，并于所述第一膜层上形成暴露所述功能区的镂空区；

在所述第一膜层上贴附第二膜层，所述第二膜层盖设于所述镂空区上方，形成容置所述功能区的密闭空腔，所述第一膜层和所述第二膜层至少有一层为高分子聚合物；

在所述芯片第二表面上形成朝向所述芯片第一表面延伸的通孔，所述通孔底部暴露出所述焊盘；

在所述通孔内形成电性连接于所述焊盘的线路层，所述线路层延伸至所述芯片第二表面；

在所述芯片第二表面上形成电性连接于所述线路层的导电凸块。

作为本发明的进一步改进，贴附的所述第一膜和第二膜层均为高分子聚合物。

作为本发明的进一步改进，“形成暴露所述功能区的镂空区”具体包括：

贴附第一膜层后，对第一膜层对应于所述功能区的区域进行光刻，形成所述镂空区，暴露出所述功能区。

作为本发明的进一步改进，所述第一膜层贴附于所述第二膜层后，所述第一膜层与所述第二膜层厚度之和范围为30～60μm。

作为本发明的进一步改进，所述第一膜层和所述第二膜层为环氧树脂膜。

作为本发明的进一步改进，“形成朝向所述芯片第一表面延伸的通孔”具体包括：

刻蚀所述芯片第二表面，形成暴露所述焊盘的阶梯型通孔。

作为本发明的进一步改进，还包括步骤：

在所述线路层上形成阻焊层，所述阻焊层形成有用以设置所述导电凸块的开口。

本发明还提供一种声表面波滤波芯片封装结构，其包括声表面波滤波芯片，所述声表面波滤波芯片具有相对的芯片第一表面和芯片第二表面，所述芯片第一表面上形成有功能区和设于所述功能区周侧的焊盘，所述声表面波滤波芯片封装结构还包括封盖层，所述封盖层包括第一膜层和第二膜层，所述第一膜层覆于所述芯片第一表面上，其设有暴露所述功能区的镂空区，所述第二膜层覆于所述第一膜层上，其盖设于所述镂空区形成容置所述功能区的密闭空腔，且所述第一膜层和所述第二膜层至少有一层为高分子聚合物；